[发明专利]SiGe(:B):Ga层的形成

权利要求书

1.一种形成Ga掺杂的SiGe层(40)的方法，所述方法包括：

a.在含C的Ga前体存在下，在基材(10)上沉积Ga掺杂的SiGe，从而形成Ga掺杂的SiGe层(40)的第一部分；和

b.在不存在含C的Ga前体的情况下，在第一部分(20)上沉积SiGe，从而形成Ga掺杂的SiGe层(40)的第二部分(30)；

其中，Ga掺杂的SiGe层(40)的各部分，即在步骤a中沉积的Ga掺杂的SiGe和在步骤b中沉积的SiGe均任选地是B掺杂的。

2.如权利要求1所述的方法，其中，步骤a和/或步骤b中的沉积包括外延工艺。

3.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，步骤a是使用Si前体，Ge前体，B前体和含C的Ga前体进行的；并且步骤b包括在没有含C的Ga前体的情况下继续进行步骤a的沉积。

4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，步骤a和/或步骤b中的沉积在450℃或更低的温度下进行。

5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，Si前体是高阶硅烷，并且/或者Ge前体是高阶锗烷。

6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其在步骤a和/或步骤b之后还包括步骤c：

c.回蚀Ga掺杂的SiGe层(40)。

7.如权利要求6所述的方法，其中，使用基于Cl的蚀刻剂进行步骤c。

8.如权利要求6或7所述的方法，其中，所述方法用于相对于氧化物或氮化物表面，在半导体表面上区域选择性地形成SiGe(:B):Ga层(40)。

9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，包括步骤a，b和任选的c的工序重复至少两次。

10.一种Ga掺杂的SiGe层(40)，其包括：

i.包含第一浓度的C的第一部分(20)，

ii.在第一部分(20)上的第二部分(30)，所述第二部分(30)包含第二浓度的C；

其中，第二浓度至少小于第一浓度的二分之一，优选至少小于第一浓度的五分之一，更优选至少小于第一浓度的十分之一，和

其中，Ga掺杂的SiGe层(40)任选地是B掺杂的。

11.如权利要求10所述的Ga掺杂的SiGe层(40)，其中，第一部分(20)的厚度为第二部分(30)的厚度的0.05至20倍，优选为0.1至10倍，更优选为0.2至5倍，更优选为0.3至3倍，最优选为0.5至2倍。

12.如权利要求10或11所述的Ga掺杂的SiGe层(40)，其中，第一部分(20)的厚度和/或第二部分(30)的厚度为1至50nm，优选为2至25nm，更优选为3至15nm，更优选为5至10nm。

13.一种形成用于半导体器件的Ga掺杂的SiGe结构的方法，其包括如权利要求1至9中任一项所述的方法。

14.一种用于半导体器件的Ga掺杂的SiGe结构，其包括如权利要求10至13中任一项所述的Ga掺杂的SiGe层(40)。

15.如权利要求14所述的Ga掺杂的SiGe结构，其为源极区和/或漏极区。