[发明专利]三维存储器及其形成方法有效
申请号: | 202011180194.X | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN112331666B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 赵祥辉;胡军 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11565 | 分类号: | H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 存储器 及其 形成 方法 | ||
1.一种三维存储器的形成方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一衬底,在所述衬底上形成堆叠层,所述堆叠层包括核心部分以及位于所述核心部分外围的台阶部分;
刻蚀所述堆叠层,于所述核心部分形成贯穿所述堆叠层的沟道孔,于所述台阶部分形成贯穿所述堆叠层的标记孔;
填充所述标记孔,形成标记结构;
刻蚀所述台阶部分形成台阶,所述标记结构用于对所述台阶的特征尺寸进行监控。
2.根据权利要求1所述的三维存储器的形成方法,其特征在于,形成标记结构的具体步骤还包括:
同时填充所述沟道孔和所述标记孔,同时形成沟道结构和标记结构。
3.根据权利要求1所述的三维存储器的形成方法,其特征在于,还包括如下步骤:
填充标记层于所述标记孔内,形成所述标记结构;
填充沟 道层于所述沟道孔内,形成沟道结构。
4.根据权利要求1所述的三维存储器的形成方法,其特征在于,所述标记孔的内径与所述沟道孔的内径相同;或者
所述标记孔的内径与所述沟道孔的内径不同。
5.根据权利要求1所述的三维存储器的形成方法,其特征在于,所述台阶部分用于形成沿所述衬底指向所述堆叠层的方向依次叠置的多层台阶;于所述台阶部分形成贯穿所述堆叠层的标记孔的具体步骤包括:
于所述台阶部分形成沿所述核心部分指向所述台阶部分的方向排列、且贯穿所述堆叠层的多个标记孔,多个所述标记孔与多层所述台阶分别对应。
6.根据权利要求5所述的三维存储器的形成方法,其特征在于,每层所述台阶均至少设置有一个与其对应的标记孔;或者
每间隔若干层台阶设置一个所述标记孔。
7.根据权利要求5所述的三维存储器的形成方法,其特征在于,所述台阶部分环绕所述核心部分的四周分布;于所述台阶部分形成贯穿所述堆叠层的标记孔的具体步骤还包括:
形成与一层所述台阶对应、且关于该台阶的中心对称分布的多个所述标记孔。
8.一种三维存储器,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底上具有堆叠层,所述堆叠层包括核心部分以及位于所述核心部分外围的台阶部分;
标记结构,位于所述台阶部分,所述标记结构贯穿所述堆叠层,所述标记结构用于在所述台阶部分形成台阶时对所述台阶的特征尺寸进行监控。
9.根据权利要求8所述的三维存储器,其特征在于,所述标记结构包括:
标记孔,位于所述台阶部分且贯穿所述堆叠层;
填充层,填充于所述标记孔内。
10.根据权利要求9所述的三维存储器,其特征在于,还包括沟道结构;所述沟道结构包括:
沟道孔,位于所述核心部分且贯穿所述堆叠层,所述标记孔与所述沟道孔同步形成;
沟道层,填充于所述沟道孔内。
11.根据权利要求10所述的三维存储器,其特征在于,所述填充层的材料与所述沟道层的材料相同;或者
所述填充层的材料与所述沟道层不同。
12.根据权利要求10所述的三维存储器,其特征在于,所述标记孔的内径与所述沟道孔的内径相同;或者
所述标记孔的内径与所述沟道孔的内径不同。
13.根据权利要求8所述的三维存储器,其特征在于,所述台阶部分用于形成沿所述衬底指向所述堆叠层的方向依次叠置的多层台阶;
多个所述标记结构沿所述核心部分指向所述台阶部分的方向排列,且多个所述标记结构与多层所述台阶分别对应。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011180194.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的