[发明专利]一种介质滤波器的负耦合结构

说明书

本发明提供一种介质滤波器的负耦合结构，本发明可选择性的在任意两个谐振腔之间设置一贯穿介质块的调节孔，两个谐振腔通过该调节孔相连通，从而可以使谐振腔之间的容性耦合结构转变成感性，形成一种负耦合结构，同时，本发明在滤波器输入端口的背面设置有调节槽，通过调整调节槽的深度和宽度可进一步提高介质滤波器的远端抑制性能。而且，本发明结构简单，适用性强，能够应用于所有的介质滤波器来优化其远端性能。

技术领域

本发明属于介质滤波器耦合结构技术领域，具体涉及一种介质滤波器的负耦合结构。

背景技术

5G时代，受限于Massive MIMO（大规模天线技术）对大规模天线集成化的要求，滤波器需更加小型化和集成化，在限定腔体尺寸的情况下，由于自身材料的损耗，金属同轴腔体滤波器和金属腔介质滤波器均无法取得很高的Q值，从而导致滤波器的各项性能指标都受到了限制。

陶瓷介质滤波器中的电磁波谐振发生在介质材料内部，传统的金属腔体被金属镀层替代，因此体积会更小，重量更轻，此外，陶瓷介质滤波器具有Q值高、选频特性好、工作频率稳定性好、插入损耗小、高低温漂特性小等优点。因此，为了满足5G基站滤波器对小型化的要求，更易小型化的陶瓷介质滤波器就成为了主流的解决方案。

发明内容

本发明的目的是提供一种适用于陶瓷介质滤波器的负耦合结构，该负耦合结构可以使谐振腔之间的容性耦合结构转变成感性，以提高介质滤波器的带外抑制性能。

为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种介质滤波器的负耦合结构，该介质滤波器包括介质块、ANT端口、TX端口和多个谐振腔，任意两个所述的谐振腔之间均可选择性的通过一贯穿介质块设置的调节孔相连通，通过调整调节孔的大小和相连通的两个谐振腔之间的距离来调整该介质滤波器的远端抑制性能。

进一步的，所述ANT端口和TX端口之间开设有调节槽，通过调整调节槽的宽度和深度来提高该介质滤波器的远端抑制性能。

进一步的，所述ANT端口和TX端口共同设置在介质块的其中一个端面上，调节槽设置在介质块的另一个端面上。

进一步的，所述的调节槽和多个谐振腔均为盲槽状结构。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明可选择性的在任意两个谐振腔之间设置一贯穿介质块的调节孔，两个谐振腔通过该调节孔相连通，从而可以使谐振腔之间的容性耦合结构转变成感性，形成一种负耦合结构，同时，本发明在滤波器输入端口的背面设置有调节槽，通过调整调节槽的深度和宽度可进一步提高介质滤波器的远端抑制性能。而且，本发明结构简单，适用性强，能够应用于所有的介质滤波器来优化其远端性能。

附图说明

图1为本发明一种介质滤波器的负耦合结构的结构示意图；

图2为采用本发明所述的负耦合结构的介质滤波器的仿真频率响应曲线；

图中标记：1、ANT端口，2、TX端口，3、调节槽，4、第一谐振腔，5、第二谐振腔，6、调节孔。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，一种介质滤波器的负耦合结构，该介质滤波器包括介质块、ANT端口1、TX端口2和多个谐振腔，任意两个所述的谐振腔之间均可选择性的通过一贯穿介质块设置的调节孔6相连通，从而可以使谐振腔之间的容性耦合结构转变成感性，形成一种负耦合结构，并且，通过调整调节孔6的大小和相连通的两个谐振腔之间的距离来调整该介质滤波器的远端抑制性能。