[发明专利]具有防反接功能的容性负载预充电控制模块在审

专利信息
申请号: 202011181265.8 申请日: 2020-10-29
公开(公告)号: CN112186862A 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 王栋;耿瑞峰;刘聪;王超;王聪;朱志光;魏文娟 申请(专利权)人: 安图实验仪器(郑州)有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 郑州异开专利事务所(普通合伙) 41114 代理人: 韩华
地址: 450016 河南省郑*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 具有 反接 功能 负载 充电 控制 模块
【权利要求书】:

1.一种具有防反接功能的容性负载预充电控制模块,其特征在于:包括单片机、负载开关控制单元、充电阈值检测单元;

所述负载开关控制单元用于接收所述单片机发送的接通驱动电源信号,并判断输入的所述驱动电源正、负极接线的正确性,当驱动电源正、负极接线正确时将驱动电源接入容性负载,当驱动电源正、负极接线反接时,断开驱动电源;

所述充电阈值检测单元,用于设定容性负载充电电压的阈值,并判断驱动电源正、负极接线的正确性;当容性负载充电电压达到所述阈值时,向单片机发送容性负载充电完成信号;当驱动电源正、负极接线反接时,延时设定时间后向单片机发送驱动电源正、负极反接信号。

2.根据权利要求1所述具有防反接功能的容性负载预充电控制模块,其特征在于:所述负载开关控制单元包括第一MOS管Q1、第二MOS管 Q2和第一光电耦合器U1;所述第一MOS管Q1源极经热敏电阻R1与所述驱动电源正极连接,第一MOS管Q1栅极经电阻R4、热敏电阻R1与驱动电源正极连接,第一MOS管Q1漏极与容性负载正极连接,并经分压电阻R6、R7与所述第二MOS管Q2源极连接;第二MOS管Q2栅极经电阻R9和热敏电阻R1与驱动电源正极连接,第二MOS管Q2漏极与驱动电源负极连接;所述第一光电耦合器U1的发光二极管正极经电阻R2与所述单片机输出端连接,所述容性负载负极经第一光电耦合器U1的光电三极管发射极、集电极和电阻R5、R4、热敏电阻R1与驱动电源正极连接;所述充电阈值检测单元包括第二光电耦合器U2和比较放大器U3;所述比较放大器U3的比较输入端与所述分压电阻R6低电位端连接,比较放大器U3的高电位端经所述第二光电耦合器U2的发光二极管、电阻R3与第一MOS管Q1漏极连接,比较放大器U3的低电位端与所述容性负载负极连接;第二光电耦合器U2的光电三极管集电极与单片机信号输入端连接,第二光电耦合器U2的光电三极管发射极接数字地。

3.根据权利要求2所述具有防反接功能的容性负载预充电控制模块,其特征在于:所述第一MOS管为PMOS管。

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