[发明专利]一种大功率高压肖特基势垒二极管

权利要求书

1.一种大功率高压肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：

背面金属层；

N+衬底，所述N+衬底设置于所述背面金属层上方；

N外延层，所述N外延层设置于所述N+衬底上方，所述N外延层上部设置有重掺杂阳极区，所述N外延层上还设置有P+保护环，所述保护环环绕设置于所述重掺杂阳极区四周，所述保护环环绕围成的区域为有源区，所述有源区呈矩形，所述有源区拐角处呈圆弧形，所述重掺杂阳极区设置有四块且分布于所述有源区拐角处，所述重掺杂阳极区呈扇形且半径大于所述有源区拐角处圆弧形的半径；

金属硅化物层，所述金属硅化物层设置于所述N外延层上方，所述金属硅化物层与所述重掺杂阳极区接触；

正面金属层，所述正面金属层设置于所述金属硅化物层上方且覆盖所述金属硅化物层。

2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于：所述N外延层上表面开设有沟槽，所述重掺杂阳极区设置于所述沟槽底部。

3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于：重掺杂阳极区掺杂剂量范围为3e¹⁴/cm²～3e¹⁶/cm²。

4.根据权利要求3所述的二极管，其特征在于：重掺杂阳极区掺杂剂量范围为1e¹⁵/cm²～1e¹⁶/cm²。

5.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于：所述保护环的掺杂剂量不高于所述重掺杂阳极区的掺杂剂量。

6.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于：所述保护环与所述正面金属层之间设置有薄氧层，所述N外延层上表面四周设置有场氧层。