[发明专利]光刻仿真中斜线图形的光源掩模优化方法、工艺窗口形成方法以及光刻方法

权利要求书

1.一种光刻仿真中斜线图形的光源掩模优化方法，所述斜线图形由若干根倾斜设置的线条构成，相邻的两根线条彼此平行，其特征在于，包括以下步骤：

将待优化的斜线图形朝第一旋转方向旋转，直至每根线条处于X方向或者Y方向，得到第一图形，使得所述第一图形中线条周期、关键尺寸与所述斜线图形中线条周期、关键尺寸保持一致；

针对所述第一图形，进行光源优化处理，得到第一优化光源；

对所述斜线图形进行均匀规则的曼哈顿台阶化处理，以将每根线条的两侧直线式边缘处理成多层均匀规则的曼哈顿台阶式，得到第二图形；

将第一优化光源朝第二旋转方向旋转，得到第二优化光源，所述第一旋转方向与第二旋转方向方向相反，旋转角度相等；

将所述第二图形作为初始掩模图形，使用第二优化光源对其进行掩模优化处理。

2.根据权利要求1所述的光刻仿真中斜线图形的光源掩模优化方法，其特征在于，所述均匀规则的曼哈顿台阶化处理的步骤包括：

取点步骤：在每根线条的每一侧边缘选取若干个交替设置的第一切割点以及第二切割点，所述第一切割点、第二切割点将每根线条等分成若干份；

切割步骤：自所述第一切割点沿第一方向切割至第一结点，自所述第二切割点沿第二方向切割至所述第一结点，所述第一方向与第二方向相互垂直；

自第一切割点朝第一方向向外延伸至第二结点，自第二切割点沿第二方向向外延伸至第三结点，所述第二结点、第一切割点、第一结点、第二切割点、第三结点连接构成L形均匀规则的曼哈顿台阶；

重复所述切割步骤若干次，直至得到第二图形。

3.根据权利要求2所述的光刻仿真中斜线图形的光源掩模优化方法，其特征在于，所述第一切割点与第一结点的长度等于所述第一切割点与所述第二结点的长度。

4.根据权利要求3所述的光刻仿真中斜线图形的光源掩模优化方法，其特征在于，所述第二切割点与第一结点的长度等于所述第二切割点与第三结点的长度。

5.根据权利要求4所述的光刻仿真中斜线图形的光源掩模优化方法，其特征在于，

所述第二结点、第一切割点的连线长度小于第一结点、第二切割点、第三结点的连线长度。

6.根据权利要求2所述的光刻仿真中斜线图形的光源掩模优化方法，其特征在于，在相邻层均匀规则的曼哈顿均匀规则的曼哈顿台阶中，上一层均匀规则的曼哈顿台阶的所述第三结点与下一层均匀规则的曼哈顿台阶的第二结点重合。

7.根据权利要求1所述的光刻仿真中斜线图形的光源掩模优化方法，其特征在于，所述旋转角度为锐角；

所述第一旋转方向为逆时针方向，所述第二旋转方向为顺时针方向；或所述第一旋转方向为顺时针方向，所述第二旋转方向为逆时针方向。

8.一种工艺窗口的形成方法，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的光源掩模优化方法，以及以下步骤：

使用第二优化光源对第二图形进行掩模优化处理得到优化掩模图形；

计算所述优化掩模图形和第二优化光源组合下的工艺窗口。

9.根据权利要求8所述的工艺窗口的形成方法，其特征在于，所述线条周期为80-200nm，所述关键尺寸为40-100nm；所述工艺窗口的聚焦深度DOF为299.961。

10.一种光刻方法，其特征在于，包括如权利要求8或9所述的工艺窗口形成方法。