[发明专利]凹槽结构的制作方法、三维NAND存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种凹槽结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，提供表面具有堆叠体的衬底，在所述堆叠体远离所述衬底的一侧顺序形成层叠的第一掩膜层和第二掩膜层；

S2，对所述第二掩膜层和所述第一掩膜层进行刻蚀，以形成第一通孔，所述第一通孔位于所述第一掩膜层中的部分为第一通孔段，所述第一通孔位于所述第二掩膜层中的部分为第二通孔段，所述第一通孔段的一端与所述堆叠体连通，所述第一通孔段的另一端与所述第二通孔段连通；

S3，通过所述第一通孔段对所述第一掩膜层进行刻蚀，使得所述第一通孔段横向扩展形成第三通孔段，以将所述第一通孔形成第二通孔；

S4，利用经过步骤S2和步骤S3处理后的所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，对所述堆叠体进行刻蚀，以形成第三通孔，所述第三通孔贯穿至所述衬底。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第二掩膜层的步骤之后，以及在对所述第二掩膜层和所述第一掩膜层进行刻蚀的步骤之前，所述步骤S2还包括以下步骤：

在所述第二掩膜层的表面形成第三掩膜层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述步骤S3中，以具有所述第二通孔段的所述第二掩膜层为掩膜对所述第一掩膜层进行湿法刻蚀或气体蚀刻，以将所述第一通孔段横向扩展。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，采用刻蚀液对所述第一掩膜层进行所述湿法刻蚀，所述第一掩膜层为二氧化硅，所述刻蚀液为氢氟酸。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，采用刻蚀气体对所述第一掩膜层进行所述气体蚀刻，所述第一掩膜层为二氧化硅，所述刻蚀气体包括含氟气体。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀气体为四氟乙烯。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的制作方法，其特征在于，将所述第一通孔段横向扩展的深度为50～200nm。

8.一种三维NAND存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供表面具有堆叠体的衬底，所述堆叠体包括沿远离所述衬底的方向交替层叠的牺牲层和隔离层，采用权利要求1至7中任一项所述的制作方法在所述堆叠体中形成沟道通孔；

在所述沟道通孔中形成存储结构；

将所述牺牲层置换为栅极结构，以使所述栅极结构与所述存储结构接触。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述存储结构的步骤包括：

在所述沟道通孔的侧壁上顺序形成层叠的电荷阻挡层、电荷俘获层、隧穿层和沟道层，所述电荷阻挡层、电荷俘获层、隧穿层和沟道层构成所述存储结构。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，将所述牺牲层置换为栅极结构的步骤包括：

在所述堆叠体中形成贯穿至所述衬底的栅极隔槽，并去除所述牺牲层；

在对应所述牺牲层的位置形成栅极结构；

在所述栅极隔槽中形成导电通道。

11.一种三维NAND存储器，其特征在于，所述存储器包括：

衬底，所述衬底的一侧表面具有堆叠体，所述堆叠体中具有贯穿至所述衬底的沟道通孔；

存储结构，设置于所述沟道通孔中，

其中，所述沟道通孔采用权利要求1至7中任一项所述的制作方法形成。