[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成第一介质层、位于第一介质层内的若干栅极结构、以及位于栅极结构侧壁面的侧墙，并在所述栅极结构两侧的基底内形成源漏结构，所述第一介质层还位于所述源漏结构表面，所述侧墙包括第一区和位于第一区上的第二区；在形成所述侧墙之后，刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层内形成若干导电开口，所述导电开口暴露出所述源漏结构表面，并且，刻蚀所述第一介质层的工艺中，对所述第二区的侧墙的刻蚀速率小于对所述第一区的侧墙的刻蚀速率；在所述导电开口内形成导电结构。从而，提高了半导体结构的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着集成电路制造技术的快速发展，促使集成电路中的半导体器件的尺寸不断地缩小，使整个集成电路的运作速度将因此而能有效地提升。随着元件的尺寸要求越来越小，相应的，所形成的与半导体器件连接的导电结构的尺寸越来越小。

然而，现有的半导体结构的可靠性仍然有待改善。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高所形成的半导体结构的可靠性。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种半导体结构，包括：基底；位于所述基底上的若干栅极结构；位于所述栅极结构两侧的基底内的源漏结构；位于栅极结构侧壁面的侧墙，所述侧墙包括第一区和位于第一区上的第二区，且所述第一区和第二区的材料不同；位于所述基底上的第一介质层，所述第一介质层还位于所述侧墙侧壁面；位于所述第一介质层内且位于所述源漏结构表面的导电结构。

可选的，所述侧墙的材料为包括硅元素的介电材料，并且，所述第一区的材料中的硅元素含量比例小于第二区的材料中的硅元素含量比例。

可选的，所述第二区的侧墙的材料中硅元素含量比例为20％至50％。

可选的，所述侧墙的材料为包括碳元素的介电材料，并且，所述第一区的材料中的碳元素含量比例小于第二区的材料中的碳元素含量比例。

可选的，所述第二区的侧墙的材料中碳元素含量比例为5％至20％。

可选的，所述第一区的侧墙的材料包括低k介质材料。

可选的，所述第一区的侧墙的材料包括SiOC、SiOCN和SiOCH中的至少一种。

可选的，所述栅极结构顶面低于所述侧墙顶面；所述半导体结构还包括：位于所述栅极结构顶面的栅极保护结构。

可选的，所述栅极保护结构底面低于或齐平于所述第一区的侧墙顶面。

可选的，所述基底包括衬底、以及位于所述衬底上的若干鳍部结构，所述栅极结构横跨所述鳍部结构，且所述源漏结构位于所述栅极结构两侧的鳍部结构内。

相应的，本发明的技术方案还提供一种上述半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成第一介质层、位于第一介质层内的若干栅极结构、以及位于栅极结构侧壁面的侧墙，并在所述栅极结构两侧的基底内形成源漏结构，所述第一介质层还位于所述源漏结构表面，所述侧墙包括第一区和位于第一区上的第二区；在形成所述侧墙之后，刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层内形成若干导电开口，所述导电开口暴露出所述源漏结构表面，并且，刻蚀所述第一介质层的工艺中，对所述第二区的侧墙的刻蚀速率小于对所述第一区的侧墙的刻蚀速率；在所述导电开口内形成导电结构。

可选的，所述侧墙的材料为包括硅元素的介电材料，并且，所述第一区的材料中的硅元素含量比例小于第二区的材料中的硅元素含量比例。

可选的，所述第二区的侧墙的材料中硅元素含量比例为20％至50％。