[发明专利]一种输出峰值电流不受电源电压变化影响的MOSFET驱动器

权利要求书

1.一种输出峰值电流不受电源电压变化影响的MOSFET驱动器，其特征在于，包括二次电源模块、驱动级电压变换模块、防共通的驱动器反相器链模块和输出级对管，输出级对管为PMOS管和NMOS管；

二次电源模块用于将电源电压V_IN转换为电路内部的二次电源电压VREF，并将二次电源电压VREF送至驱动级电压变换模块中；

驱动级电压变换模块用于将接收到的二次电源电压VREF再次转换为二次电源VF+和二次电源VF-，其中二次电源VF+用于防共通的驱动器反相器链模块中NMOS驱动级的供电，二次电源VF-用于防共通的驱动器反相器链模块中PMOS驱动级的供电，并将二次电源VF+和二次电源VF-发送至防共通的驱动器反相器链模块中；

防共通的驱动器反相器链模块用于对输入信号IN进行了防共通的延时处理后，通过PMOS驱动级和NMOS驱动级分别输出两路信号，控制输出级对管PMOS管和NMOS管的两个栅极；

输出级对管的PMOS管的漏极和NMOS管的漏极相连，并同时与输出端相连OUT相连；

二次电源模块、驱动级电压变换模块和输出级对管均通过电源电压V_IN供电，且均接地；

防共通的驱动器反相器链模块中的PMOS驱动器通过电源电压V_IN供电，最低电位为二次电源VF-；防共通的驱动器反相器链模块中的NMOS驱动器接地，通过二次电源VF+供电。

2.根据权利要求1所述的一种输出峰值电流不受电源电压变化影响的MOSFET驱动器，其特征在于，二次电源VF⁺为相对于地电压的恒定电压。

3.根据权利要求1所述的一种输出峰值电流不受电源电压变化影响的MOSFET驱动器，其特征在于，二次电源VF^-为相对于电源电压V_IN具有恒定电压差的电压。

4.根据权利要求1所述的一种输出峰值电流不受电源电压变化影响的MOSFET驱动器，其特征在于，NMOS管的峰值电流与其栅-源电压V_GSN的关系为：

其中，μ_nC_OX为工艺常数，W_N/L_N为输出级NMOS管的器件宽长比，V_THN为NMOS管的开启阈值，达到峰值电流的条件为：

V_DSN＝V_GSN-V_THN

其中，V_DSN为NMOS管的漏-源电压差。