[发明专利]一种离子掺杂调控高品质因数微波介质陶瓷及制备方法

权利要求书

1.一种离子掺杂调控高品质因数微波介质陶瓷，其特征在于，所述微波介质陶瓷的化学表达式为：Ce₂Zr_3-3xMg_xSb_2xMo₉O₃₆，其中0.02≤x≤0.08；

所述微波介质陶瓷的相对介电常数ε_r=10.03~10.46，品质因数Q×f=49,033~71,748GHz，谐振频率温度系数τ_f=-12.54~-8.60 ppm/℃。

2.一种如权利要求1所述离子掺杂调控高品质因数微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，该方法按照以下步骤进行：

（1）将CeO₂、ZrO₂、MgO、Sb₂O₅和MoO₃粉料按照化学式Ce₂Zr_3-3xMg_xSb_2xMo₉O₃₆，0.02≤x≤0.08进行配料；将粉料、氧化锆磨球、无水乙醇加入混料瓶中，在球磨机上球磨24小时；

（2）将步骤（1）球磨的浆料在80℃烘干后过60目筛，然后将混合粉料进行预烧；

（3）将步骤（2）预烧后的粉料、氧化锆磨球、无水乙醇再次加入混料瓶，在球磨机上二次球磨24小时；

（4）将步骤（3）所得浆料在80℃烘干后过60目筛，加入粘合剂进行造粒，过60目筛之后压制成坯体；

（5）将步骤（4）所得坯体在500℃下排胶四小时，排胶后的坯体在700～850℃温度下烧结，保温6小时。

3.根据权利要求2所述的一种离子掺杂调控高品质因数微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的粉料、氧化锆磨球、无水乙醇的质量比为4:50:7。

4.根据权利要求2所述的一种离子掺杂调控高品质因数微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的预烧温度为700℃，升温速率为3℃/min，保温时间为2小时。

5.根据权利要求2所述的一种离子掺杂调控高品质因数微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(3)中的粉料、氧化锆磨球、无水乙醇的质量比为7:100:14。

6.根据权利要求2所述的一种离子掺杂调控高品质因数微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(4)中的所述粘合剂为石蜡，添加量为步骤(3)所得浆料经烘干、过筛后粉料质量的12％。