[发明专利]一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法

权利要求书

1.一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤，

S1：提供一衬底（200），

S2：在所述衬底（200）上依次生长GaAs缓冲层（211）、N-AlxGa1-xAs电流扩展层（221）、N-AlxGa1-xAs限制层（231）、N-AlxGa1-xAs Space层（241）、多量子阱有源层（251）、P-AlxGa1-xAs Space层（261）、P-AlxGa1-xAs限制层（271）和P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）；

所述步骤还包括，

S3：在所述P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）上生长P-AlxGa1-xAs粗化层（202），

S4：在所述P-AlxGa1-xAs粗化层（202）上生长重掺P-GaAs接触层（203）；

当所述P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）生长结束时，停止通入TEGa和TEAl，并等待10-60s，此时间内将CCl4有效流量从10-20sccm升高至100-250sccm；之后再通入TEGa和TEAl生长5-30min，粗化层厚度设置为500nm-2μm，其生长温度设置为650-750℃。

2.一种具有粗糙表面的红外LED外延片，其特征在于，

包括一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法，

所述方法包括以下步骤，

S1：提供一衬底（200），

S2：在所述衬底（200）上依次生长GaAs缓冲层（211）、N-AlxGa1-xAs电流扩展层（221）、N-AlxGa1-xAs限制层（231）、N-AlxGa1-xAs Space层（241）、多量子阱有源层（251）、P-AlxGa1-xAs Space层（261）、P-AlxGa1-xAs限制层（271）和P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）；

S3：在所述P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）上生长P-AlxGa1-xAs粗化层（202），

S4：在所述P-AlxGa1-xAs粗化层（202）上生长重掺P-GaAs接触层（203）；

当所述P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）生长结束时，停止通入TEGa和TEAl，并等待10-60s，此时间内将CCl4有效流量从10-20sccm升高至100-250sccm；之后再通入TEGa和TEAl生长5-30min，粗化层厚度设置为500nm-2μm，其生长温度设置为650-750℃，

所述外延片包括衬底（200），以及依次在所述衬底（200）上生长GaAs 缓冲层（211）、N-AlxGa1-xAs电流扩展层（221）、N-AlxGa1-xAs限制层（231）、N-AlxGa1-xAs Space层（241）、多量子阱有源层（251）、P-AlxGa1-xAs Space层（261）、P-AlxGa1-xAs限制层（271）、P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）、P-AlxGa1-xAs粗化层（202）和P-GaAs接触层（203）。

3.根据权利要求2所述的一种具有粗糙表面的红外LED外延片，其特征在于，

所述P-AlxGa1-xAs粗化层（202）为掺C的P型材料。

4.根据权利要求3所述的一种具有粗糙表面的红外LED外延片，其特征在于，

所述P-AlxGa1-xAs粗化层（202）的厚度设置为500nm-2μm。

5.根据权利要求4所述的一种具有粗糙表面的红外LED外延片，其特征在于，

所述P-AlxGa1-xAs粗化层（202）生长温度设置为650-750℃。