[发明专利]一种LED芯片、制备方法及背光模组、显示屏

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

N型半导体层；

P型半导体层；以及

介于所述N型半导体层与所述P型半导体层之间的量子阱层；

分别与所述N型半导体层、P型半导体层电性连接的N电极、P电极；

其中，所述N型半导体层靠近所述量子阱层的表面包括第一区域与第二区域，所述第一区域中包括多个通过蚀刻形成的、凸起的锥状岛结构，所述第二区域为未经蚀刻的平坦结构；所述量子阱层同时覆盖所述N型半导体层的所述第一区域与所述第二区域，且所述量子阱层与所述第一区域对应的部分被配置为发绿光，与所述第二区域对应的部分被配置为发蓝光。

2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述量子阱层与所述P型半导体层之间设置有红色量子点材料。

3.如权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述量子阱层上下两个表面的形态一致；所述红色量子点材料填充在所述量子阱层与所述第一区域对应的区域中。

4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N型半导体层的材质为氮化镓，所述锥状岛结构的晶向为半极性或非极性。

5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型半导体层包括透明导电层。

6.如权利要求1-5任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述锥状岛结构为四面体结构或圆锥结构。

7.一种背光模组，其特征在于，包括驱动基板以及多颗如权利要求1-6任一项所述的LED芯片，所述LED芯片设置在所述驱动基板上，且所述N电极、P电极分别与所述驱动基板中的驱动电路电连接。

8.一种显示屏，其特征在于，包括如权利要求7所述的背光模组。

9.一种LED芯片制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，并在所述衬底上形成N型半导体层，所述N型半导体层远离所述衬底的上表面包括第一区域与第二区域；

仅对所述N型半导体层的第一区域进行蚀刻，在所述第一区域中形成多个凸起的锥状岛结构，且保持所述第二区域平坦；

在所述N型半导体层的所述上表面形成量子阱层，所述量子阱层同时覆盖所述N型半导体层的所述第一区域与所述第二区域，且所述量子阱层与所述第一区域对应的部分被配置为发绿光，与所述第二区域对应的部分被配置为发蓝光；

在所述量子阱层上设置P型半导体层；

设置分别与所述N型半导体层、P型半导体层电性连接的N电极、P电极，制得LED芯片。

10.如权利要求9所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述在所述N型半导体层的所述上表面形成量子阱层之后，所述在所述量子阱层上设置P型半导体层之前，还包括：

在所述量子阱层上表面与所述第一区域对应的区域中设置红色量子点材料。