[发明专利]高密度集成双频TR组件在审
| 申请号： | 202011185185.X | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112217527A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 袁野;袁向秋;郑建华;辛敏振 | 申请（专利权）人： | 成都锐芯盛通电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H04B1/00 | 分类号： | H04B1/00 |
| 代理公司： | 成都环泰专利代理事务所(特殊普通合伙) 51242 | 代理人： | 李斌;李辉 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高密度 集成 双频 tr 组件 | ||
1.一种高密度集成双频TR组件，其特征在于，包括壳体，所述壳体内双频高密度一体化集成有W频段TR组件和Ku频段TR组件；所述W频段TR组件包括W频段芯片和W频段供电和控制板，所述W频段芯片通过金丝键合与W频段供电和控制板连接；所述Ku频段TR组件包括Ku频段芯片和Ku频段供电和控制板，所述Ku频段芯片通过射频微带线与Ku频段供电和控制板连接，所述Ku频段供电和控制板通过金丝键合与W频段供电和控制板连接。
2.根据权利要求1所述的高密度集成双频TR组件，其特征在于，所述壳体包括上壳体和下壳体，所述W频段TR组件集成于上壳体内，所述Ku频段TR组件集成于下壳体内，所述上壳体与下壳体之间通过互联接插件和螺钉扣合连接。
3.根据权利要求1所述的高密度集成双频TR组件，其特征在于，所述W频段TR组件为高密度的SIP封装集成式组件，包括W频段SIP模块，所述W频段芯片集成于W频段SIP模块内，所述W频段供电和控制板设于W频段SIP模块的外侧。
4.根据权利要求1所述的高密度集成双频TR组件，其特征在于，所述Ku频段TR组件为双层结构的混合集成式组件，所述Ku频段芯片位于底层，所述Ku频段供电和控制板位于顶层。
5.根据权利要求2所述的高密度集成双频TR组件，其特征在于，所述上壳体上设有W频段射频输入接口和W频段射频输出接口。
6.根据权利要求2所述的高密度集成双频TR组件，其特征在于，所述下壳体上设有Ku频段射频输入接口和Ku频段射频输出接口。
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