[发明专利]一种异形显示面板及其制造方法在审
申请号: | 202011185250.9 | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN112234073A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 舒强;任文艳;黄威 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G09G3/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210033 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 异形 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种异形显示面板,其包括平行设置的多行主扫描线、垂直设置的多行数据线、以及由主扫描线和数据线交叉限定的多个像素单元,其中每个像素单元包括多个子像素单元;其特征在于,还包括位于相邻主扫描线之间的辅扫描线,每个子像素单元包括由辅扫描线分割且上下设置的主子像素单元和辅子像素单元;所述异形显示面板还包括位于主子像素单元内的主TFT开关和主像素电极、位于辅子像素单元内的辅TFT开关、分享TFT开关和辅像素电极;设定上下相邻两条主扫描线分别为第一主扫描线和第二主扫描线,所述辅扫描线位于第一主扫描线和第二主扫描线之间,辅扫描线在外围区域内与第一主扫描线连接;所述主TFT开关包括与第一主扫描连接的主栅极、与数据线连接的主源极、主漏极以及与主源极和主漏极接触的第一半导体层,所述主漏极与主像素电极连接;所述辅TFT开关包括与辅扫描线连接的辅栅极、与数据线连接的辅源极、辅漏极以及与辅源极和辅漏极接触的第二半导体层,辅漏极与辅像素电极连接;所述分享TFT开关包括与第二主扫描线连接的分享栅极、与辅漏极连接的分享漏极、与数据线连接的分享源极以及与分享源极和分享漏极接触的第三半导体层,所述分享漏极与辅像素电极连接。
2.根据权利要求1所述的异形显示面板,其特征在于:异形显示面板还包括平行设置在第一主扫描线和辅扫描线之间的主公共电极线、平行设置在辅扫描线和第二主扫描线之间的辅公共电极线和分享公共电极线,辅公共电极线靠近辅扫描线设置,分享公共电极线靠近第二主扫描线设置。
3.根据权利要求2所述的异形显示面板,其特征在于:所述第一半导体层呈叠设在第一主扫描线的上方,所述第二半导体层呈叠设在辅扫描线的上方,所述第三半导体层呈叠设在第二主扫描线的上方。
4.根据权利要求2所述的异形显示面板,其特征在于:还包括第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔,所述主漏极通过第一接触孔与主像素电极连接,第一接触孔位于主公共电极线的上方;所述辅漏极通过第二接触孔与辅像素电极连接,第二接触孔位于辅公共电极线的上方;所述分享漏极通过第三接触孔与辅像素电极连接,第三接触孔位于分享公共电极线的上方。
5.一种异形显示面板的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1:沉积第一金属层,对第一金属层进行曝光显示刻蚀形成平行的主扫描线、辅扫描线、主公共电极线、辅公共电极线和分享公共电极线;
S2:沉积覆盖第一金属层的栅极绝缘层;
S3:沉积半导体材料层,对半导体材料层进行曝光显示刻蚀形成位于第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层;
S4:沉积第二金属层,对第二金属层进行曝光显示刻蚀形成与主扫描线平行设置的数据线、与第一半导体层接触的主源极和主漏极、与第二半导体层接触的辅源极和辅漏极以及与第三半导体层接触的分享源极和分享漏极,
S5:沉积覆盖第二金属层的绝缘层;
S6:对绝缘层进行刻蚀形成与主漏极连接且位于主公共电极线上方的第一接触孔、与辅漏极连接且位于辅公共电极线上方的第二接触孔以及与分享漏极连接且位于分享公共电极线上方的第三接触孔;
S7:沉积透明半导体材料层,对透明半导体材料层进行刻蚀形成主像素电极和辅像素电极,主像素电极通过第一接触孔与主漏极连接,辅像素电极通过第二接触孔与辅漏极连接,辅像素电极通过第三接触孔与分享漏极连接。
6.根据权利要求5所述的异形显示面板的制造方法,其特征在于:针对步骤S1,设定相邻两行主扫描线分别为第一主扫描线和第二主扫描线,辅扫描线平行设置在第一主扫描线和第二主扫描线之间且与副扫描线和第一主扫描线在外围区域连接;主公共电极线平行设置在第一主扫描线和辅扫描线之间,辅公共电极线和分享公共电极线平行设置在辅扫描线和第二主扫描线之间,辅公共电极线靠近辅扫描线设置,分享公共电极线靠近第二主扫描线设置。
7.根据权利要求6所述的异形显示面板的制造方法,其特征在于:针对步骤S3,第一半导体层和第三导体板层不接触且均呈叠设置在第一主扫描线和第二主扫描线的上方,第二半导体层呈叠设置在辅扫描线上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的