[发明专利]基于ESO-MLD的逆变器开路故障快速诊断系统及其诊断方法在审
申请号: | 202011185787.5 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112363086A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 陈超波;李文杰;高嵩;李继超;刘叶楠;冯添枝;王玥;徐唱 | 申请(专利权)人: | 西安工业大学 |
主分类号: | G01R31/54 | 分类号: | G01R31/54;G01R31/52;G01R19/165 |
代理公司: | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人: | 李凤鸣 |
地址: | 710032 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 eso mld 逆变器 开路 故障 快速 诊断 系统 及其 方法 | ||
1.基于ESO-MLD的逆变器开路故障快速诊断系统,其特征在于:包括直流电源Udc、主逆变电路和三个同样的绕组电阻、定子电感和反电动势;
所述主逆变电路包含直流电源Udc和三相桥臂,所述三相桥臂中,每相桥臂包含两个IGBT开关功率管、两个反向二极管及其两个快速熔断器;所述主逆变电路共包括六个IGBT开关功率管T1~T6、六个反向二极管D1~D6以及六个快速熔断器F1~F6;所述三个同样的绕组电阻、定子电感和反电动势统一记为R、L、e;
所述三相桥臂中IGBT开关功率管与快速熔断器串联的输入端并联后连接直流电源的正极,即T1和F1、T3和F3、T5和F5连接Udc正极;所述三相桥臂中IGBT开关功率管与快速熔断器串联的输出端并联后连接直流电源的负极,即T2和F2、T4和F4、T6和F6连接Udc负极;所述三相桥臂中IGBT开关功率管T1和T2、T3和T4、T5和T6顺序串联;
所述反向二极管D1的阴极连接IGBT开关功率管T1的输入端,反向二极管D3的阴极连接IGBT开关功率管T3的输入端,反向二极管D5的阴极连接IGBT开关功率管T5的输入端;反向二极管D2的阳极连接IGBT开关功率管T2的输出端,反向二极管D4的阳极连接IGBT开关功率管T4的输出端,反向二极管D6的阳极连接IGBT开关功率管T6的输出端;
所述绕组电阻、定子电感和反电动势顺序串联,分别连接T1、T3、T5的输出端并记为点a、点b、点c;反电动势计入公共点n,流入绕组电阻的电流分别记为ia、ib、ic。
2.根据权利要求1所述诊断系统的诊断方法,其特征在于:包括如下步骤:
步骤一:将电机等效为电阻、电感和反电势串联组成的电路;建立含逆变器的电机驱动系统电机的连续模型;
步骤二:根据电路的约束关系和星型连接特点,对输出的相电压进行逻辑与运算,可得到逆变器正常工作时三相绕组相电压表达式
式uan、ubn、ucn为电机三相绕组电压,Udc为直流电源,S1~S6为开关管的开关信号,1表示开关管处于导通状态,0表示开关管处于断开状态;δa、δb、δc表示为电机三相绕组的电流流向,1表示电流流入绕组,0表示电流流出绕组;
步骤三:建立电机驱动系统逆变器的混合逻辑动态MLD模型,由步骤一和步骤二可得
步骤四:设计电压扩展观测器对输出的相电压进行实时估计,根据非线性不确定系统设计观测器,得到ESO-MLD模型为
扩展观测器的模型为:
其中fal(ε,α1,δ1)为非线性函数,f0(z1)为未知函数,电压扩展观测器观测系数β1,β2;
步骤五:根据步骤三MLD模型输出的三相电压实际值U和电压扩展观测器观测的三相电压估计值产生的电压残差进行故障检测,利用电压残差包含的故障信息建立残差信息表进行故障定位。对单个开关管发生故障和两个开关管同时发生故障进行故障诊断。电压扩展观测器利用系统状态变量三相电流i和扰动量,以及利用电机的反馈信号电角度θ、角速度ωs和给定磁通ψ得到控制量反电动势e来估计三相电压值,具体诊断如下:
各相的相电压残差:Δuan=0,Δubn=0,Δucn=0各相的相电压残差之间的关系:Δuan=Δubn=Δucn=0,则无故障发生;
各相的相电压残差:各相的相电压残差之间的关系:Δuan=-2Δubn=-2Δucn≥0,则a相TI开关管发生故障;
各相的相电压残差:各相的相电压残差之间的关系:Δuan=-2Δubn=-2Δucn≤0,则a相T2开关管发生故障;
各相的相电压残差:各相的相电压残差之间的关系:Δuan=-2Δubn=-2Δucn,则a相T1、T2开关管同时发生故障;
各相的相电压残差:各相的相电压残差之间的关系:Δubn=-2Δuan=-2Δucn≥0,则b相T3开关管发生故障;
各相的相电压残差:各相的相电压残差之间的关系:Δubn=-2Δuan=-2Δucn≤0,则b相T4开关管发生故障;
各相的相电压残差:各相的相电压残差之间的关系:Δubn=-2Δuan=-2Δucn,则b相T3、T4开关管同时发生故障;
各相的相电压残差:各相的相电压残差之间的关系:Δucn=-2Δuan=-2Δubn≥0,则c相T5开关管发生故障;
各相的相电压残差:各相的相电压残差之间的关系:Δucn=-2Δuan=-2Δubn≤0,则c相T6开关管发生故障;
各相的相电压残差:各相的相电压残差之间的关系:Δucn=-2Δuan=-2Δubn,则c相T5、T6开关管同时发生故障。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安工业大学,未经西安工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011185787.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 表达NY-ESO-1重组耻垢分枝杆菌的制备及应用
- 表面展示GPI-NY-ESO-1融合蛋白的细胞膜脂质及其应用
- NY-ESO-1有作为增强CA9免疫原性分子佐剂的作用
- NY-ESO-1有作为增强Artv1(wtArt)过敏原免疫反应分子佐剂的作用
- 一种外周血中抗NY-ESO-1自身抗体的检测方法
- 基于特异性单克隆或多克隆抗体建立的NY-ESO-1抗原检测方法
- 靶向NY-ESO-1的T细胞受体及其用途
- 靶向NY-ESO-1的T细胞受体联合表达PD1抗体可变区及其用途
- 一种靶向NY-ESO-1的T细胞受体、T细胞受体基因修饰T细胞及其制备方法和应用
- 一种TCR敲除的靶向NY-ESO-1的T细胞受体基因修饰T细胞及其制备方法和应用