[发明专利]集成芯片及其形成方法

权利要求书

1.一种形成集成芯片的方法，包括：

在衬底上方形成存储器器件；

在所述存储器器件上方形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上方形成层间介电(ILD)层，所述层间介电层横向地围绕所述存储器器件；

执行一个或多个图案化工艺，以限定从所述层间介电层的顶部延伸的第一沟槽以暴露所述蚀刻停止层的上表面；

执行去除工艺以去除所述蚀刻停止层的暴露部分；以及

在执行所述去除工艺之后，在所述第一沟槽内形成导电材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述去除工艺包括湿清洁工艺或湿蚀刻工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述一个或多个图案化工艺包括：

对所述层间介电层执行第一图案化工艺以在所述存储器器件上方形成第一中间沟槽，其中，所述第一中间沟槽通过所述层间介电层与所述蚀刻停止层分隔开；以及

对所述层间介电层执行第二图案化工艺以增大所述第一沟槽的深度并且限定所述第一沟槽。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

在所述层间介电层内形成导通孔和上面的第二沟槽，其中，在执行所述第二图案化工艺之前，所述第二沟槽和所述导通孔暴露所述蚀刻停止层的第二部分。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述导通孔暴露所述蚀刻停止层的第二上表面，所述第二上表面横向地位于所述存储器器件的外侧。

6.根据权利要求4所述的方法，还包括：

在执行所述去除工艺之前，执行第二去除工艺以去除所述蚀刻停止层的所述第二部分。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二去除工艺包括湿清洁工艺或湿蚀刻工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

沿着所述蚀刻停止层的所述上表面和侧壁形成上部绝缘结构；以及

在所述上部绝缘结构上方形成所述层间介电层，其中，所述一个或多个图案化工艺蚀刻穿过所述上部绝缘结构以暴露所述蚀刻停止层的所述上表面。

9.一种形成集成芯片的方法，包括：

在衬底上的一个或多个下部层间介电(ILD)层上方形成存储器器件，其中，所述存储器器件包括设置在底部电极和顶部电极之间的数据存储结构；

在所述顶部电极上方形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上方形成上部层间介电层，所述上部层间介电层横向地围绕所述存储器器件；

在所述上部层间介电层内形成凹槽，其中，所述凹槽从所述上部层间介电层的顶部延伸至所述蚀刻停止层；

去除所述蚀刻停止层的暴露部分；以及

在所述凹槽内形成上部互连线。

10.一种集成芯片，包括：

存储器器件，设置在衬底上方的一个或多个下部层间介电(ILD)层内的下部互连件上方；

上部层间介电层，横向地围绕所述存储器器件；

蚀刻停止层，将所述存储器器件以及所述一个或多个下部层间介电层与一个或多个所述上部层间介电层分隔开，其中，所述蚀刻停止层具有位于所述存储器器件的顶部下方的上表面；以及

上部互连线，与所述蚀刻停止层之上的所述存储器器件的侧壁接触。