[发明专利]存储器单元及其形成方法、存储器器件

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

底部电极；

顶部电极，位于所述底部电极上面；以及

介电堆叠件，包括堆叠在所述底部电极和所述顶部电极之间的多个介电层；

其中，所述多个介电层包括第一介电层，并且

所述第一介电层是所述多个介电层中最靠近所述底部电极的一个，并且在所述多个介电层中具有最高的电子亲和力。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述多个介电层包括位于所述第一介电层上面的第二介电层，并且其中，所述第二介电层具有与所述第一介电层不同的元素组。

3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述多个介电层包括位于所述第一介电层上面的第二介电层，并且其中，所述第二介电层具有与所述第一介电层相同的元素组，并且还具有与所述第一介电层不同的元素比例。

4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述介电堆叠件由两个介电层组成。

5.根据权利要求1所述的存储器单元，还包括：

覆盖层，位于所述介电堆叠件上面、位于所述介电堆叠件和所述顶部电极之间，其中，所述覆盖层具有比所述顶部电极和所述底部电极更高的对氧的亲和力。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述多个介电层包括第二介电层和第三介电层，并且其中，所述第二介电层位于所述第一介电层和所述第三介电层之间，并且具有在所述第一介电层的电子亲和力和所述第三介电层的电子亲和力之间的电子亲和力。

7.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述多个介电层包括第二介电层和第三介电层，其中，所述第二介电层位于所述第一介电层和所述第三介电层之间，并且其中，所述第三介电层具有在所述第一介电层的电子亲和力和所述第二介电层的电子亲和力之间的电子亲和力。

8.根据权利要求1所述的存储器单元，还包括：

导电丝，位于所述介电堆叠件中，其中，所述导电丝包括氧空位。

9.一种存储器器件，包括存储器单元，其中，所述存储器单元包括：

底部电极；

介电结构，位于所述底部电极上面，并且从顶部到底部包括多种不同的介电材料；以及

顶部电极，位于所述介电结构上面；

其中，所述多种不同的介电材料包括位于所述底部电极处的第一介电材料，并且

所述第一介电材料在所述多种不同的介电材料中具有最低的底部导电带边缘。

10.一种形成存储器单元的方法，包括：

在衬底上方沉积底部电极层；

在所述底部电极层上方并且直接在所述底部电极层上沉积介电膜，其中，所述介电膜包括垂直堆叠的多个不同的介电层，其中，所述多个不同的介电层包括位于所述底部电极层处的第一介电层，并且其中，所述第一介电层在所述多个不同的介电层中具有最高的电子亲和力；

在所述介电膜上方沉积顶部电极层；以及

将所述底部电极层、所述介电膜和所述顶部电极层图案化为存储器单元。