[发明专利]一种后合成修饰的MOF-PC材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202011186666.2 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112210369B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 贾琼;于清雅;曹琪;杨巾栏;陈思涵;郑海娇;穆晋 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C08G83/00 | 分类号： | C08G83/00;C09K11/06;G01N21/64 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 李外 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 合成 修饰 mof pc 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种后合成修饰的MOF-PC材料在制备TBHQ荧光传感器中的应用，其特征在于，所述的后合成修饰的MOF-PC材料的制备方法包括：
步骤一：MOF材料的合成
将氯化锆加入到N,N-二甲基甲酰胺溶剂中，滴加盐酸或乙酸后使氯化锆固体超声溶解，然后加入含2-氨基对苯二甲酸的N,N-二甲基甲酰胺溶液，混合搅拌均匀；于80℃～120℃恒温反应；反应完成后经离心、洗涤、真空干燥得到淡黄色的MOF固体粉末；
步骤二：MOF材料的后合成修饰
将步骤一制备的MOF固体粉末加入到溶剂中，混合搅拌均匀，随后加入吡啶-2-羧醛(2-PC)试剂和乙酸，于40～80℃下恒温反应，经冷却、过滤、洗涤、真空干燥制得后合成修饰的MOF-PC材料。
2.一种后合成修饰的MOF-PC材料在制备Cr2O72–荧光传感器中的应用，其特征在于，所述的后合成修饰的MOF-PC材料的制备方法包括：
步骤一：MOF材料的合成
将氯化锆加入到N,N-二甲基甲酰胺溶剂中，滴加盐酸或乙酸后使氯化锆固体超声溶解，然后加入含2-氨基对苯二甲酸的N,N-二甲基甲酰胺溶液，混合搅拌均匀；于80℃～120℃恒温反应；反应完成后经离心、洗涤、真空干燥得到淡黄色的MOF固体粉末；
步骤二：MOF材料的后合成修饰
将步骤一制备的MOF固体粉末加入到溶剂中，混合搅拌均匀，随后加入吡啶-2-羧醛(2-PC)试剂和乙酸，于40～80℃下恒温反应，经冷却、过滤、洗涤、真空干燥制得后合成修饰的MOF-PC材料。
3.根据权利要求1或2所述的应用，其特征在于，所述的步骤一中氯化锆和2-氨基对苯二甲酸的摩尔比为(0.9～1.1):(1.3～1.6)。
4.根据权利要求1或2所述的应用，其特征在于，所述的步骤一的超声时间为10-15min，搅拌时间为20-25min。
5.根据权利要求1或2所述的应用，其特征在于，所述的步骤一的恒温反应时间为20-24h。
6.根据权利要求1或2所述的应用，其特征在于，所述的步骤二的溶剂为乙腈或乙醇。
7.根据权利要求1或2所述的应用，其特征在于，所述的步骤二中MOF固体粉末和吡啶-2-羧醛的摩尔比为(0.8～1.2):(1.5～3.2)。
8.根据权利要求1或2所述的应用，其特征在于，所述的步骤二的搅拌温度为室温，搅拌时间为20-25min。
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