[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于衬底上的介质层以及位于介质层内的导电层，所述导电层的顶部表面低于所述介质层的顶部表面，所导电层上具有位于介质层内的凹槽；

位于凹槽底部导电层表面的保护层。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的材料包括钛。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层上还具有氧化层。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述氧化层的厚度范围为1纳米～2纳米。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述氧化层的材料包括氧化钛。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于凹槽内保护层上的阻挡层。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括：基底；位于基底上的栅极结构；位于栅极结构两侧基底内的源漏掺杂区；所述导电层位于源漏掺杂区上；所述介质层位于栅极结构顶部和侧壁。

8.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在衬底上形成介质层和位于介质层内的导电层，所述导电层的顶部表面低于所述介质层的顶部表面，所导电层上具有位于介质层内的凹槽；

在所述凹槽的底部表面和侧壁表面形成初始保护层，所述凹槽侧壁表面的初始保护层的厚度小于所述凹槽底部表面的初始保护层的厚度；

对所述凹槽侧壁表面的初始保护层和所述凹槽底部表面的部分初始保护层进行改性处理，在凹槽底部表面形成保护层，并在凹槽侧壁表面和凹槽底部的保护层表面形成改性层；

去除所述改性层，直至暴露出所述凹槽侧壁的介质层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始保护层的工艺包括物理气相沉积工艺；所述物理气相沉积工艺的工艺参数包括：靶材为钛靶，功率为6千瓦～8千瓦，气体为氩气，氩气流量为250sccm～300sccm。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在保护层上形成氧化层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述凹槽侧壁表面的初始保护层和所述凹槽底部表面的部分初始保护层进行改性处理的方法包括：对所述凹槽侧壁表面的初始保护层和所述凹槽底部表面的部分初始保护层进行氧化处理，在凹槽底部形成保护层，在保护层上形成初始氧化层；对所述凹槽侧壁的初始氧化层和凹槽底部的部分初始氧化层进行氮化处理，在凹槽侧壁形成改性层，在凹槽底部形成位于保护层上的氧化层以及位于氧化层上的所述改性层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始氧化层的厚度范围为3纳米～4纳米；所述改性层的厚度范围为2纳米～3纳米。

13.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始保护层的材料包括钛。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化层的材料包括氧化钛。

15.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性层的材料包括氮化钛。

16.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述改性层的工艺包括湿法刻蚀工艺；所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液包括氨水和双氧水的混合溶液。