[发明专利]一种终端对接保护电路及其搭建方法、终端在审
| 申请号： | 202011187669.8 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN114447902A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 吴青松;张宇飞 | 申请（专利权）人： | 中移物联网有限公司;中国移动通信集团有限公司 |
| 主分类号： | H02H11/00 | 分类号： | H02H11/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 401336*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 终端 对接 保护 电路 及其 搭建 方法 | ||
1.一种终端对接保护电路，其特征在于，包括：
P-MOS三极管、第一分压电阻、第二分压电阻以及二极管；
所述P-MOS三极管的源极S连接终端的电源正极；所述P-MOS三极管的栅极G连接所述第一分压电阻的一端，所述第一分压电阻的另一端连接终端的电源正极；所述P-MOS三极管的漏极D用作输出正极；
所述二极管的正极连接终端的电源负极，所述二极管的负极用作输出负极；所述第二分压电阻的一端连接所述P-MOS三极管的栅极G，所述第二分压电阻的另一端连接所述二极管的负极。
2.根据权利要求1所述的终端对接保护电路，其特征在于，所述二极管的正极接地。
3.根据权利要求1所述的终端对接保护电路，其特征在于，所述第一分压电阻取值包括200KΩ，所述第二分压电阻取值包括1MΩ。
4.根据权利要求1、2或3所述的终端对接保护电路，其特征在于，在所述P-MOS三极管的漏极D用作输出正极连接后端电路，而所述二极管的负极用作输出负极未连接后端电路时，所述P-MOS三极管的Vgs电压值在所述第一分压电阻和所述第二分压电阻的分压作用下未超过开启阈值，此时所述P-MOS三极管关闭，以使所述终端的电源正极和所述输出负极之间不导通。
5.根据权利要求4所述的终端对接保护电路，其特征在于，在所述P-MOS三极管的漏极D用作输出正极连接后端电路，并且所述二极管的负极用作输出负极也连接后端电路时，所述P-MOS三极管的Vgs电压值超过开启阈值，此时所述P-MOS三极管开启，以使所述终端的电源正极和所述输出负极之间导通，并对后端电路供电。
6.一种终端，其特征在于，所述终端包括权利要求1～5任一项所述的终端对接保护电路。
7.一种终端对接保护电路的搭建方法，其特征在于，所述方法包括：
将P-MOS三极管的源极S与终端的电源正极进行连接；
将所述P-MOS三极管的栅极G与第一分压电阻的一端进行连接，以及将所述第一分压电阻的另一端与终端的电源正极进行连接；所述P-MOS三极管的漏极D用作输出正极；
将二极管的正极与终端的电源负极进行连接，所述二极管的负极用作输出负极；
将第二分压电阻的一端与所述P-MOS三极管的栅极G进行连接，以及将所述第二分压电阻的另一端与所述二极管的负极进行连接。
8.根据权利要求7所述的终端对接保护电路的搭建方法，其特征在于，所述方法还包括：
将所述二极管的正极接地。
9.根据权利要求8所述的终端对接保护电路的搭建方法，其特征在于，所述第一分压电阻取值包括200KΩ，所述第二分压电阻取值包括1MΩ。
10.根据权利要求6、7或8所述的终端对接保护电路的搭建方法，其特征在于，在所述P-MOS三极管的漏极D用作输出正极连接后端电路，而所述二极管的负极用作输出负极未连接后端电路时，所述P-MOS三极管的Vgs电压值未超过开启阈值，此时所述P-MOS三极管关闭，以使所述终端的电源正极和所述输出负极之间不导通；在所述P-MOS三极管的漏极D用作输出正极连接后端电路，并且所述二极管的负极用作输出负极也连接后端电路时，所述P-MOS三极管的Vgs电压值超过开启阈值，此时所述P-MOS三极管开启，以使所述终端的电源正极和所述输出负极之间导通，并对后端电路供电。
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