[发明专利]透射电子显微镜样品及其制备方法

权利要求书

1.一种透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，所述透射电子显微镜样品的制备方法包括：

提供一待观测的半导体器件；

提取所述半导体器件的部分至样品载体上，以形成初始样品，所述初始样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度与远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度相同，所述第一方向为样品载体的延伸方向；

对所述初始样品进行减薄处理，以形成观测样品，所述观测样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度大于远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度。

2.如权利要求1所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，所述观测样品包括堆叠的第一样品部和第二样品部，所述第一样品部较所述第一样品部靠近所述样品载体，并且所述第一样品部在所述第一方向上的宽度大于所述第二样品部在所述第一方向上的宽度；其中，所述第一样品部和所述第二样品部在第二方向上的截面均呈矩形，所述第二方向为样品载体的垂直方向，所述第二方向与所述第一方向垂直。

3.如权利要求2所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，对所述初始样品进行减薄处理的方法包括：

对所述初始样品进行第一减薄处理，使所述初始样品中远离所述样品载体的部分在所述第一方向上的宽度减小至第一宽度；以及，

对第一减薄处理后的所述初始样品进行第二减薄处理，使所述初始样品中远离所述样品载体的部分在所述第一方向上的宽度从所述第一宽度减小至第二宽度，以形成所述第一样品部和所述第二样品部，所述第二样品部暴露出所述第一样品部中靠近所述第二样品部的部分表面；其中，所述第一样品部在所述第一方向上的宽度为所述初始样品在所述第一方向上的宽度，所述第二样品部在所述第一方向上的宽度为所述第二宽度。

4.如权利要求3所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，所述初始样品在所述第一方向上的宽度为200nm～300nm，所述第二宽度为50nm～80nm。

5.如权利要求1所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，所述观测样品包括依次堆叠的第一样品部、第二样品部和第三样品部，所述第一样品部较所述第二样品部和所述第三样品部靠近所述样品载体，并且所述第一样品部、所述第二样品部和所述第三样品部在所述第一方向上的宽度依次减小；其中，所述第一样品部和所述第三样品部在第二方向上的截面均呈一矩形，所述第二样品部在第二方向上的截面呈一矩形或者一梯形，所述第二方向为样品载体的垂直方向，所述第二方向与所述第一方向垂直。

6.如权利要求5所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，对所述初始样品进行减薄处理的方法包括：

对所述初始样品进行第一减薄处理，使所述初始样品中远离所述样品载体的部分在所述第一方向上的宽度减小至第一宽度，以形成第一样品部和过渡部，所述过渡部暴露出所述第一样品部中靠近所述过渡部的部分表面；

对第一减薄处理后的所述初始样品进行第二减薄处理，使所述过渡部中远离所述第一样品部的部分在所述第一方向上的宽度减小至第二宽度，以形成所述第二样品部和所述第三样品部，所述第三样品部暴露出所述第二样品部中靠近所述第三样品部的部分表面；其中，所述第一样品部在第一方向上的宽度为所述初始样品在所述第一方向上的宽度，所述第二样品部在所述第一方向上的宽度为所述第一宽度，所述第三样品部在所述第一方向上的宽度为所述第二宽度。

7.如权利要求6所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，所述初始样品在所述第一方向上的宽度为200nm～300nm，所述第一宽度为100nm～150nm，所述第二宽度为50nm～80nm。

8.如权利要求3或6所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，沿所述初始样品的一侧面或两侧面，通过第一聚焦离子束和/或第二聚焦离子束，对所述初始样品进行第一减薄处理；

和/或，沿所述初始样品的一侧面或两侧面，通过所述第二聚焦离子束，对所述初始样品进行第二减薄处理；其中，所述第一聚焦离子束的电流为100pA～300pA，所述第二聚焦离子束的电流为30pa～50pa。