[发明专利]半导体装置结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：

提供一基板、一第一纳米结构与一第二纳米结构，其中该基板具有一基底与该基底上的一鳍状物，且该第一纳米结构与该第二纳米结构依序堆叠于该鳍状物上；

形成一隔离层于该基底上，其中该隔离层的一第一上侧部分的宽度朝着该基底增加；

形成一栅极介电层于该第一纳米结构、该第二纳米结构、该鳍状物与该隔离层上，其中该栅极介电层具有一第一部分与一第二部分；

形成一栅极层于该第一部分上；

形成一间隔物层于该栅极层的一第一侧壁、该栅极介电层的该第一部分的一第二侧壁与该隔离层的该第一上侧部分之上的该栅极介电层的该第二部分的一第三侧壁上；

移除该栅极介电层的该第二部分与该隔离层的该第一上侧部分，以形成一空间于该鳍状物与该间隔物层之间；以及

形成一源极/漏极结构于该空间之中与该第一纳米结构及该第二纳米结构之上。