[发明专利]掺杂复合结构硅量子点及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种掺杂复合结构硅量子点的制备方法，包括如下步骤：

将硅的无机氧化物粉体和硼粉体在含有还原性气体的环境中进行等离子处理，将部分所述硅的无机氧化物还原反应，然后冷却处理，生成掺杂复合结构硅量子点；其中，所述还原反应的产物含有单质硅。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将硅的无机氧化物和硼粉体在含有还原性气体的环境中进行等离子处理的方法包括如下步骤：

将硅的无机氧化物粉体和硼粉体通过输送气流输送至等离子腔室内进行等离子处理；其中，所述输送气流含有所述还原性气体，所述输送气流为惰性气体。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述输送气流的流速为1-6SLPM；和/或

所述硅的无机氧化物粉体和硼粉体被所述输送气流输送的总速率为60-500g/hr；和/或

所述还原性气体在所述输送气流中的体积含量为0.1-2％。

4.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于：所述等离子处理的等离子体气体为氩气，流速为10-40SLPM；和/或

所述等离子处理的等离子体鞘气为氩气和氢气，其中，所述氩气的流速为30-60SLPM，所述氢气的流速为0.5-3SLPM；和/或

所述硅的无机氧化物粉体和硼粉体是按照重量比为(50-1):1的比例，在含有所述还原性气体的环境中进行所述等离子处理。

5.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于：所述冷却处理是向所述还原反应结束后的环境中通入冷却惰性气体。

6.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于：所述硅的无机氧化物粉体包括石英砂、二氧化硅、氧化亚硅中的至少一种粉体；和/或

所述硅的无机氧化物粉体和/或所述硼粉体的平均粒径为0.1-10μm。

7.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于：待所述冷却处理的步骤之后，还包括将生成的所述掺杂复合结构硅量子点进行后处理的步骤：

将生成的所述掺杂复合结构硅量子点在保护气氛中进行热氧化处理。