[发明专利]光刻曝光系统和光刻刻蚀方法

权利要求书

1.一种光刻曝光系统，其特征在于，所述光刻曝光系统，包括：

光刻光路，所述光刻光路包括入射端和出射端，所述光刻光路的入射端设有光源，所述光刻光路的出射端设有载片台；所述光源发出光线照向所述载片台，以形成所述光刻光路，所述光刻光路用于光刻位于所述载片台上的目标晶圆；

光罩，所述光罩设于所述光刻光路上，位于所述光源的出射端，用于将所述光源发射的光线图案化；

透镜组件，所述透镜组件设于所述光刻光路上，位于所述光罩的出射端，用于将由所述光罩中出射的光线聚焦在所述目标晶圆上；

挡光板，所述挡光板设于所述光刻光路上，位于所述光罩的出射端，包括挡光区和透光区，所述挡光区环绕在所述透光区的外周，用于在对目标晶圆进行光刻时遮挡住所述目标晶圆的洗边区。

2.如权利要求1所述的光刻曝光系统，其特征在于，所述洗边区环绕所述目标晶圆的外缘。

3.如权利要求2所述的光刻曝光系统，其特征在于，所述透光区用于允许光线透过，照射到目标晶圆的目标光刻区；所述洗边区环绕在所述目标光刻区外周。

4.如权利要求1所述的光刻曝光系统，其特征在于，所述透光区为圆形。

5.如权利要求1所述的光刻曝光系统，其特征在于，所述挡光板能够沿着所述光刻光路的垂直方向移动。

6.如权利要求1所述的光刻曝光系统，其特征在于，环绕在所述透光区的外缘上设有透光调节板；

所述透光调节板能够向所述透光区的中心收缩，用于调节所述透光区的大小。

7.如权利要求1所述的光刻曝光系统，其特征在于，所述挡光板的挡光区的材质为反光材质或吸光材质。

8.一种光刻刻蚀方法，其特征在于，所述光刻刻蚀方法包括：

在目标晶圆的表面涂覆光刻胶；

通过如权利要求1至7中任一项所述的光刻曝光系统，对所述光刻胶进行曝光；

进行显影处理后，通过所述光刻胶定义出光刻图案；

根据所述光刻图案刻蚀所述目标晶圆。