[发明专利]紫外发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011189257.8 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112397621B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 刘旺平;刘春杨;梅劲;葛永晖;张武斌;王烨 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/22;H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 紫外 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种紫外发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括：衬底和沉积在所述衬底上的外延层，所述外延层包括顺次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型AlGaN层，
所述外延层还包括位于所述电子阻挡层和所述P型AlGaN层之间的刻蚀得到的反射层，所述反射层由若干交错排列的凸块组成，所述凸块的凸出方向与所述外延层的沉积方向相同且所述凸块的横截面的面积沿所述外延层的沉积方向逐渐减小，所述凸块为锥形体，所述反射层为未掺杂GaN层或未掺杂AlGaN层，所述反射层的厚度为50nm-100nm，
所述外延片还包括P型接触层，所述P型接触层沉积在所述P型AlGaN层上。
2.一种紫外发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上沉积外延层，所述外延层包括顺次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层和电子阻挡层；
在所述电子阻挡层上沉积反射层；
对所述反射层进行刻蚀，刻蚀后的反射层由若干交错排列的凸块组成，所述凸块的凸出方向与所述外延层的沉积方向相同且所述凸块的横截面的面积沿所述外延层的沉积方向逐渐减小，所述反射层为未掺杂GaN层或未掺杂AlGaN层，所述反射层的厚度为50nm-100nm；
在所述刻蚀后的反射层上沉积P型AlGaN层；
在所述P型AlGaN层上沉积P型接触层。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述对所述反射层进行刻蚀，包括：
在所述反射层上生长图形化掩膜，所述图形化掩膜用于指示所述凸块的位置；
对所述反射层上未被所述图形化掩膜覆盖的部分进行刻蚀；
去除所述图形化掩膜。
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