[发明专利]存储器、存储器系统、存储器的操作方法和存储器系统的操作

说明书

本发明涉及存储器、存储器系统、存储器的操作方法和存储器系统的操作。其中，一种用于操作存储器的方法包括确定执行纠错操作。一种用于操作存储器的方法包括：确定是否执行纠错操作；响应于确定执行纠错操作生成内部地址；从基于内部地址选择的存储单元读取数据和与数据对应的纠错码；基于纠错码对数据执行纠错操作以产生经纠错的数据；将经纠错的数据和与经纠错的数据对应的纠错码写入到存储单元中；基于在执行纠错操作时检测到的错误将存储器中的区域当中的一个或更多个区域确定为需要修复区域；接收第一命令；响应于第一命令将需要修复区域中存储的数据和纠错码备份到冗余区域中；以及利用冗余区域修复需要修复区域。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年11月21日提交的韩国专利申请10-2019-0150511和于2020年6月5日提交的韩国专利申请10-2020-0068144的优先权，它们的整体内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的实施方式涉及存储器和存储器系统。

背景技术

在半导体存储器行业的早期，在已经历晶片上的半导体制造工艺的存储器芯片中存在许多原始良好裸片，它们是没有缺陷的存储单元的裸片。然而，随着存储器装置的容量逐渐增加，变得难于制造完全没有缺陷的存储单元的存储器装置，并且目前，可以说基本上没有可能制造没有缺陷的存储单元的存储器装置。作为克服该问题的一种解决方案，正在使用利用冗余的存储单元修复存储器装置的缺陷存储单元的方法。

作为另一解决方案，使用纠正存储器系统中的错误的纠错电路(即ECC电路)来纠正存储单元中出现的错误以及在存储器系统的读取操作和写入操作期间传送数据时出现的错误。

发明内容

本发明的实施方式涉及一种用于减少存储器和存储器系统中的错误的技术。

根据本发明的一个实施方式，一种用于操作存储器的方法包括：确定是否执行纠错操作；响应于确定执行纠错操作来生成内部地址；从基于内部地址选择的存储单元读取数据和与数据对应的纠错码；基于纠错码对数据执行纠错操作以产生经纠错的数据；将经纠错的数据和与经纠错的数据对应的纠错码写入到存储单元中；基于在执行纠错操作时检测到的错误将存储器中的区域当中的一个或更多个区域确定为需要修复区域；接收第一命令；响应于第一命令将需要修复区域中存储的数据和纠错码备份到冗余区域中；以及利用冗余区域修复需要修复区域。

根据本发明的另一实施方式，一种存储器包括：正常单元阵列；冗余单元阵列；访问电路，其用于访问正常单元阵列和冗余单元阵列；地址生成电路，其响应于确定执行纠错操作来生成内部地址；纠错码生成电路，其基于写入数据生成与写入数据对应的纠错码；纠错电路，其基于与读取数据对应的纠错码来检测和纠正读取数据的错误；历史储存电路，其基于纠错电路检测到的错误将正常单元阵列的区域当中的一个或更多个区域确定为需要修复区域；以及修复电路，其用于将正常单元阵列的需要修复区域替换为冗余单元阵列的冗余区域，其中当第一命令被施加时，访问电路将正常单元阵列的需要修复区域中存储的数据和纠错码备份到冗余区域中，以及修复电路在所述备份完成之后将需要修复区域替换为冗余区域。

根据本发明的又一实施方式，一种用于操作存储器系统的方法包括：通过存储器确定是否执行纠错操作；通过存储器响应于确定执行纠错操作来生成内部地址；通过存储器从基于内部地址选择的存储单元读取数据和与数据对应的纠错码；通过存储器基于纠错码对数据执行纠错操作；通过存储器将经纠错的数据和与经纠错的数据对应的纠错码写入到基于内部地址选择的存储单元中；通过存储器基于在存储器执行纠错操作时检测到的错误将区域当中的一个或更多个区域确定为需要修复区域；通过存储器控制器将需要修复区域的数据移动到存储器的第一区域中；通过存储器控制器向存储器传送第一命令；通过存储器响应于第一命令利用存储器的冗余区域修复需要修复区域；以及通过存储器控制器将第一区域的数据移动到冗余区域中。