[发明专利]硅基液晶显示芯片制造方法及硅基液晶显示芯片有效
| 申请号： | 202011189724.7 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112731718B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 陈弈星;唐平大;于钦杭 | 申请（专利权）人： | 南京芯视元电子有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1345;G02F1/1343;G02F1/13 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 俞翠华 |
| 地址： | 210032 江苏省南京市江北*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液晶显示 芯片 制造 方法 | ||
1.一种硅基液晶显示芯片制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上设有显示芯片驱动电路；
在所述衬底上淀积第一介电层；
刻蚀所述第一介电层，露出衬底中显示芯片驱动电路顶层的信号连线层，形成第一开口结构；
淀积第一金属层填充所述第一开口结构形成焊盘通孔塞，刻蚀所述第一金属层形成焊盘结构；
在所述第一金属层上依次淀积第二介电层和第三介电层；
刻蚀所述第三介电层形成第二开口结构；
刻蚀所述第一介电层和第二介电层，露出衬底中显示芯片驱动电路顶层的信号连线层，形成第三开口结构；
淀积第二金属层填充所述第三开口结构和第二开口结构，形成像素电极通孔塞和像素电极结构；所述焊盘结构位置低于像素电极结构位置；
刻蚀所述第三介电层和第二介电层露出所述焊盘结构，完成硅基液晶显示芯片的制造。
2.根据权利要求1所述的一种硅基液晶显示芯片制造方法，其特征在于：所述焊盘结构的材料为铝或铜铝合金。
3.根据权利要求1所述的一种硅基液晶显示芯片制造方法，其特征在于：所述像素电极结构的材料为铜。
4.根据权利要求1所述的一种硅基液晶显示芯片制造方法，其特征在于：所述在所述衬底上淀积第一介电层步骤之后还包括：对所述第一介电层做平坦化工艺处理。
5.根据权利要求1所述的一种硅基液晶显示芯片制造方法，其特征在于：所述在所述第一金属层上依次淀积第二介电层和第三介电层步骤之后还包括：对所述第三介电层做平坦化工艺处理。
6.根据权利要求1所述的一种硅基液晶显示芯片制造方法，其特征在于：所述衬底为硅衬底。
7.一种硅基液晶显示芯片，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上设有显示芯片驱动电路；
第一介电层，覆盖在所述衬底上，设有第一开口结构和第一通孔；
第二介电层，覆盖在所述第一介电层上，设有与第一通孔位置对应且径向尺寸相同的第二通孔，其与第一通孔共同构成第三开口结构；
第三介电层，覆盖在所述第二介电层上，设有与第二通孔位置对应的第二开口结构，所述第二开口结构的径向尺寸大于第二通孔的径向尺寸；
焊盘结构，部分设于所述第一开口结构内，且与显示芯片驱动电路的信号连线层相连；部分与所述第二介电层接触，其远离第一介电层的一侧设有焊盘开口，所述焊盘结构上远离第一介电层的端面低于所述第二介电层上远离第一介电层的端面；
像素电极通孔塞，设于所述第三开口结构内，且与显示芯片驱动电路的信号连线层相连；
像素电极结构，设于所述第二开口结构内；所述焊盘结构位置低于像素电极结构位置。
8.根据权利要求7所述的硅基液晶显示芯片，其特征在于：所述焊盘结构的材料为铝或铜铝合金。
9.根据权利要求7所述的硅基液晶显示芯片，其特征在于：所述像素电极结构的材料为铜。
10.根据权利要求7所述的硅基液晶显示芯片，其特征在于：所述衬底为硅衬底。
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