[发明专利]一种基于电场操控下低角度依赖性实时变色薄膜有效
申请号: | 202011190031.X | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112305827B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 张金英;王瑞;李卓;王欣;杨苏辉 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | G02F1/1514 | 分类号: | G02F1/1514;G02F1/153;G02F1/15 |
代理公司: | 北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 | 代理人: | 张利萍 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 电场 操控 角度 依赖性 实时 变色 薄膜 | ||
1.一种基于电场操控低角度依赖性实时变色薄膜,其特征在于:包括:表面凹凸不平、不规则的BST薄膜、衬底、底电极、顶电极;所述底电极与衬底连接,BST薄膜与底电极和顶电极连接,在电极两端施加电压时,BST薄膜的折射率发生变化,薄膜反射峰的位置发生变化,因而实现变色,且能够实现实时变色;如果撤去电压,则恢复到未加电压时的颜色,即低角度依赖性实时变色薄膜具有可逆特性;所述的BST薄膜为一种电可调谐的铁电薄膜-钛酸锶钡。
2.如权利要求1所述的实时变色薄膜,其特征在于:所述的BST薄膜为单层膜,且由于均匀生长在凹凸不平、不规则的衬底表面,使BST表面变得凹凸不平、不规则。
3.如权利要求1或2所述的实时变色薄膜,其特征在于:所述BST薄膜的折射率在2.2-2.5之间。
4.如权利要求1或2所述的实时变色薄膜,其特征在于:所述BST薄膜的厚度在100nm-135nm之间。
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