[发明专利]一种基于ALD沉积IGZO膜的闪存单元及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种基于ALD沉积IGZO膜的闪存单元的制备方法，其特征在于，在P型高掺杂晶圆基底上沉积隔离层、浮栅层、隧穿层，利用ALD法在隧穿层上沉积IGZO薄膜层，然后蚀刻掉多余的IGZO部分并蚀刻出源漏区域，沉积Al作为源漏。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的ALD法中温度为190~210℃，真空度在1.5×10^-5pa以下。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的原子层沉积法中前体与氧化剂反应，前体中Ga、In、Zn的质量比为1:1:1，氧化剂为H₂O₂。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的IGZO膜的厚度为10~20nm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的P型高掺杂晶圆为重掺杂P型硅片，厚度为500um；所述的隔离层为热氧化SiO₂层，厚度为5nm；所述的浮栅层为Si₃N₄层，厚度为7nm；所述的隧穿层为Al₂O₃,厚度为5nm。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述SiO₂层和Si₃N₄层的沉积方法为低压化学气相沉积法；所述的Al₂O₃层的沉积方法为热ALD方法，真空条件下温度为200℃。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的多余的IGZO部分采用正光刻胶的方法刻蚀，用负光刻胶（NPR）刻蚀出源漏区域，利用磁控溅射沉积出Al作为源漏。

8.一种权利要求1-7任一项所述的制备方法制备得到的基于ALD沉积IGZO膜的闪存单元。

9.一种权利要求1-7任一项所述的制备方法制备得到的基于ALD沉积IGZO膜的闪存单元在柔性非易失储存器中的应用。