[发明专利]电源的防反接电路有效

专利信息
申请号: 202011192917.8 申请日: 2020-10-30
公开(公告)号: CN112421576B 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 杨帆;汪帮磊;孙海军;李明;房瑞瑞 申请(专利权)人: 南京甄视智能科技有限公司
主分类号: H02H7/12 分类号: H02H7/12;H02H11/00
代理公司: 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 代理人: 季承
地址: 210000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电源 反接 电路
【权利要求书】:

1.一种电源的防反接电路,其特征在于,所述电源的防反接电路包括:相连的连接器和控制电路;

当输入电源的正负极正接所述连接器时,所述控制电路中的金属氧化物半导体场效应MOS管在所述输入电源的作用下导通,以使所述控制电路的接地端接单板地;在所述输入电源掉电后,所述控制电路中的三极管在转换电压节点的作用下导通,以使所述控制电路的接地端由接所述单板地切换为接地,避免所述单板地成为浮地,所述转换电压节点是对所述输入电源的电压进行降压转换得到的;

当所述输入电源的正负极反接所述连接器时,所述控制电路中的MOS管和三极管不导通;

所述控制电路包括:第一子电路、第二子电路、第一电阻、第二电阻、第三电阻、降压转换芯片、所述MOS管和所述三极管;

所述连接器的电压输入端分别与所述控制电路的第一电压输入端和所述降压转换芯片相连,所述降压转换芯片与所述控制电路的第二电压输入端相连,所述连接器的接地端与所述控制电路的接地端相连;

所述第一电压输入端与所述第一子电路的输入端相连,所述第一子电路的输出端分别与所述MOS管的栅极和所述第一电阻的第一端口相连,所述MOS管的源极和所述第二电阻的第一端口均接单板地,所述MOS管的漏极和所述第二电阻的第二端口分别与所述控制电路的接地端相连;

所述第一电阻的第二端口分别与第三电阻的第一端口和所述三极管的集电极相连,所述第三电阻的第二端口与所述控制电路的接地端相连;

所述三极管的发射极接地,所述三极管的基极与所述第二子电路的输出端相连,所述第二子电路的输入端与第二电源输入端相连;

当上电时,所述控制电路的接地端先与所述单板地导通,降压转换芯片将输入电源进行降级处理后提供给所述转换电压节点,所述转换电压节点再上电,所述控制电路的接地端由与所述单板地连接切换为与地连接,以使所述单板地与所述控制电路的接地端之间的电压值消失,消除所述MOS管导通时的内阻对产品的影响。

2.根据权利要求1所述的防反接电路,其特征在于,所述第一子电路包括:第四电阻和第一电容;

所述第四电阻的第一端口和所述第一电容的第一端口分别与所述第一子电路的输入端相连;

所述第四电阻的第二端口和所述第一电容的第二端口分别与所述第一子电路的输出端相连。

3.根据权利要求1所述的防反接电路,其特征在于,所述第二子电路包括:第五电阻、第六电阻、第二电容和第三电容;

所述第五电阻的第一端口与所述第二子电路的输入端相连,所述第五电阻的第二端口分别与所述第六电阻的第一端口、所述第二电容的第一端口和所述第三电容的第一端口相连;

所述第六电阻的第二端口、所述第二电容的第二端口和所述第三电容的第二端口接地。

4.根据权利要求1所述的防反接电路,其特征在于,当所述输入电源的正负极正接所述连接器时,所述连接器的电压输入接口与所述输入电源的正极相连,所述连接器的接地端与所述输入电源的负极相连。

5.根据权利要求1所述的防反接电路,其特征在于,当所述输入电源的正负极反接所述连接器时,所述连接器的电压输入接口与所述输入电源的负极相连,所述连接器的接地端与所述输入电源的正极相连。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的防反接电路,其特征在于,所述输入电源的电压为12V,所述转换电压节点的电压为0.9V。

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