[发明专利]用于电流和/或电压过载保护的装置及集成电路装置在审
| 申请号： | 202011192930.3 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112290514A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 周号 | 申请（专利权）人： | 珠海迈巨微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H02H7/20 | 分类号： | H02H7/20;H02H3/08;H02H3/20 |
| 代理公司： | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人： | 韩德凯;李伟波 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市高新区唐家*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 电流 电压 过载 保护 装置 集成电路 | ||
1.一种用于电流和/或电压过载保护的装置，其特征在于，包括：
至少一个保护组件；
所述保护组件包括至少一个熔断元件以及至少一个与所述熔断元件串联的含PN结元件；
其中，当电流过载时，所述熔断元件能够被熔断以实现电流过载保护，当电压过载时，所述含PN结元件能够被击穿以实现电压过载保护。
2.根据权利要求1所述的用于电流和/或电压过载保护的装置，其特征在于，所述用于电流和/或电压过载保护的装置的第一端连接于保护目标器件的信号接收端，所述用于电流和/或电压过载保护的装置的第二端连接于保护目标器件的供电端(VDD)或者接地端。
3.根据权利要求2所述的用于电流和/或电压过载保护的装置，其特征在于，所述保护目标器件的所述信号接收端用于接收外部输入信号。
4.根据权利要求2所述的用于电流和/或电压过载保护的装置，其特征在于，所述保护目标器件为集成电路芯片。
5.根据权利要求2所述的用于电流和/或电压过载保护的装置，其特征在于，所述外部输入信号为外部输入功率信号。
6.根据权利要求2所述的用于电流和/或电压过载保护的装置，其特征在于，保护组件的数量为两个或三个以上，两个或三个以上的所述保护组件在所述保护目标器件的信号接收端与所述保护目标器件的供电端(VDD)或者接地端之间形成并联结构。
7.根据权利要求2所述的用于电流和/或电压过载保护的装置，其特征在于，所述熔断元件由金属材料形成。
8.根据权利要求2所述的用于电流和/或电压过载保护的装置，其特征在于，所述含PN结元件优选为二极管、三极管、MOS管和/或它们的组合。
9.根据权利要求2所述的用于电流和/或电压过载保护的装置，其特征在于，所述保护组件包括两个熔断元件以及一个与两个所述熔断元件串联的含PN结元件，所述含PN结元件设置在所述两个熔断元件之间。
10.一种集成电路装置，其特征在于，包括：
至少两个上述任一项所述的用于电流和/或电压过载保护的装置；以及
至少一个集成电路芯片；
其中，所述用于电流和/或电压过载保护的装置以及所述集成电路芯片形成在共同衬底上，至少一个所述用于电流和/或电压过载保护的装置设置在所述集成电路芯片的供电端与所述集成电路芯片的信号接收端之间，至少另一个所述用于电流和/或电压过载保护的装置设置在所述集成电路芯片的接地端与所述集成电路芯片的信号接收端之间。
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