[发明专利]在碳化硅基板上形成欧姆接触的方法及系统在审
申请号: | 202011193115.9 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112201571A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 张杰;邹达;秦国双 | 申请(专利权)人: | 英诺激光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/04 | 分类号: | H01L21/04 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 巫苑明 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区科技*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化硅 基板上 形成 欧姆 接触 方法 系统 | ||
1.一种在碳化硅基板上形成欧姆接触的方法,其特征在于:包括以下步骤,
S10、使用皮秒激光或飞秒激光聚焦在碳化硅基板的表面,通过控制激光的能量和光斑的尺寸形成微纳结构;
S20、使用打印的方法,在碳化硅表面的微纳结构区涂覆一层金属镍的纳米墨水,然后通过干燥除去溶剂;
S30、使用长脉宽紫外激光辐照在碳化硅表面的微纳结构区金属镍的纳米墨水涂覆,在惰性气体的保护下烧结纳米颗粒,形成一个连续的金属镍涂层,在金属镍和碳化硅的微纳结构界面区域形成镍的掺杂。
2.如权利要求1所述的在碳化硅基板上形成欧姆接触的方法,其特征在于:飞秒激光的脉宽为250-950fs;波长为1030-1064nm,515-532nm,343-355nm。
3.如权利要求2所述的在碳化硅基板上形成欧姆接触的方法,其特征在于:皮秒激光的脉宽为小于15ps;波长为1030-1064nm,515-532nm,343-355nm。
4.如权利要求3所述的在碳化硅基板上形成欧姆接触的方法,其特征在于:长脉宽紫外激光的脉宽大于10ns,波长为355nm或者266nm。
5.一种在碳化硅基板上形成欧姆接触的系统,其特征在于:包括,
超快激光模组、纳米墨水打印模组、长脉宽纳秒紫外激光模组及机械平台;
所述机械平台用于承载碳化硅基板;
所述超快激光模组设于机械平台上方,用于在碳化硅基板上形成微纳结构;
所述纳米墨水打印模组设于机械平台上方,用于在碳化硅表面的微纳结构区涂覆一层金属镍的纳米墨水;
所述长脉宽纳秒紫外激光模组设于机械平台上方,用于在涂覆一层金属镍的纳米墨水的碳化硅基板上形成连续的金属镍涂层。
6.如权利要求5所述的在碳化硅基板上形成欧姆接触的系统,其特征在于:所述超快激光模组用于产生飞秒激光或皮秒激光,飞秒激光的脉宽为250-950fs;波长为1030-1064nm,515-532nm,343-355nm;皮秒激光的脉宽为小于15ps;波长为1030-1064nm,515-532nm,343-355nm。
7.如权利要求6所述的在碳化硅基板上形成欧姆接触的系统,其特征在于:所述长脉宽纳秒紫外激光模组用于产生长脉宽紫外激光,长脉宽紫外激光的脉宽大于10ns,波长为355nm或者266nm。
8.如权利要求7所述的在碳化硅基板上形成欧姆接触的系统,其特征在于:所述超快激光模组包括依次排列的超快激光器、第一扩束器、第一反射镜、第一振镜及第一场镜。
9.如权利要求8所述的在碳化硅基板上形成欧姆接触的系统,其特征在于:所述长脉宽纳秒紫外激光模组包括依次排列的长脉宽纳秒紫外激光器、第二扩束器、第二反射镜、第二振镜及第二场镜。
10.如权利要求9所述的在碳化硅基板上形成欧姆接触的系统,其特征在于:所述纳米墨水打印模组包括墨水容纳罐、墨水打印喷嘴及墨水导入装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英诺激光科技股份有限公司,未经英诺激光科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011193115.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种核电用自动化超声检验系统
- 下一篇:电线杆、管桩的自动化生产系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造