[发明专利]三维存储器的漏电分析方法及三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器的漏电分析方法，其特征在于，所述三维存储器包括栅叠层结构，所述栅叠层结构包括依次交替层叠设置的绝缘层和导电的栅极层，所述栅叠层结构的第一台阶区包括至少两个台阶，所述方法包括：

在所述台阶中，形成仅贯穿所述台阶中最靠近所述台阶上表面的所述栅极层的绝缘的阻挡结构；其中，所述台阶上表面的所述栅极层包括第一部分和第二部分，所述阻挡结构电隔离所述第一部分和所述第二部分；

形成与多个所述第一部分分别对应电连接的多个第一导电插塞；其中，在平行于所述栅极层的第一方向，所述第一导电插塞和所述阻挡结构交替间隔设置；

形成与所述第二部分电连接的第二导电插塞；其中，所述第二导电插塞用于向所述第二部分传输电信号；

对所述第一导电插塞进行电性检测，获取检测结果；基于所述检测结果中所述第一导电插塞呈现的图像，对所述三维存储器进行漏电分析。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述检测结果中所述第一导电插塞呈现的图像，对所述三维存储器进行漏电分析，包括：

所述检测结果中所述第一导电插塞表面呈现亮色，对应于所述第一导电插塞漏电；

所述检测结果中所述第一导电插塞表面呈现暗色，对应于所述第一导电插塞不漏电。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一导电插塞进行电性检测，包括：

对所述第一导电插塞进行电子束检测。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅叠层结构位于衬底上，所述第一台阶区中至少一个所述台阶包括两层所述栅极层；

所述在所述栅叠层结构的第一台阶区，形成贯穿台阶上表面所述栅极层的绝缘的阻挡结构，包括：

在所述第一台阶区包括两层所述栅极层的所述台阶中，形成贯穿相对远离所述衬底的一个所述栅极层的所述阻挡结构，所述相对远离所述衬底的一个所述栅极层被所述阻挡结构划分为电隔离的所述第一部分和所述第二部分；

其中，所述阻挡结构与相对靠近所述衬底的另一个所述栅极层接触且未贯穿所述另一个所述栅极层；或者，所述阻挡结构与相对靠近所述衬底的另一个所述栅极层之间具有所述绝缘层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述在所述栅叠层结构的第一台阶区，形成贯穿台阶上表面所述栅极层的绝缘的阻挡结构，包括：

形成堆叠结构；其中，所述堆叠结构包括依次交替层叠设置的所述绝缘层和牺牲层；

在所述堆叠结构对应于所述第一台阶区的第三台阶区，形成贯穿台阶上表面所述牺牲层的第一沟槽；填充所述第一沟槽，形成所述阻挡结构；

在形成所述阻挡结构之后，所述方法还包括：去除所述牺牲层，以在相邻所述绝缘层之间形成间隙，填充所述间隙，形成所述栅极层，所述栅极层和所述绝缘层形成所述栅叠层结构。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述去除所述牺牲层，以在相邻所述绝缘层之间形成间隙，填充所述间隙，形成所述栅极层，包括：

形成贯穿所述堆叠结构的第二沟槽；其中，所述第二沟槽与所述阻挡结构交叉设置；

通过所述第二沟槽，去除所述牺牲层，以在相邻所述绝缘层之间形成所述间隙；

通过所述第二沟槽，填充所述间隙，形成所述栅极层；

在形成所述栅极层之后，所述方法还包括：

形成覆盖所述第二沟槽侧壁的绝缘的阻挡层；填充所述第二沟槽，形成覆盖所述阻挡层的导电源极。