[发明专利]凸块结构及制造凸块结构的方法

权利要求书

1.一种制造凸块结构的方法，所述方法包括：

在基板上形成钝化层；

在所述基板上方形成金属衬垫结构，其中所述钝化层围绕所述金属衬垫结构；

在所述钝化层和所述金属衬垫结构上方形成包含聚酰亚胺的聚酰亚胺层；以及

在所述金属衬垫结构和所述聚酰亚胺层上形成金属凸块，其中所述聚酰亚胺是二酐和二胺的反应产物，其中所述二酐和所述二胺中的至少一者包括选自由以下项组成的组的一者：环烷烃、稠环、双环烷烃、三环烷烃、双环烯烃、三环烯烃、螺烷烃和杂环。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述钝化层包括：

在所述基板上方形成第一钝化层；以及

在所述第一钝化层上方形成第二钝化层，

其中所述第一钝化层和所述第二钝化层由不同的材料制成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述聚酰亚胺层包括：

在所述钝化层上方形成包含第一聚酰亚胺的第一聚酰亚胺层；以及

形成包含第二聚酰亚胺的第二聚酰亚胺层，

其中所述第一聚酰亚胺和所述第二聚酰亚胺中的每一者是二酐和二胺的反应产物，

其中所述二酐和所述二胺中的至少一者包括选自由以下项组成的组的一者：环烷烃、稠环、双环烷烃、三环烷烃、双环烯烃、三环烯烃、螺烷烃和杂环，并且

所述第一聚酰亚胺和所述第二聚酰亚胺是不同的。

4.一种制造凸块结构的方法，所述方法包括：

在基板上形成钝化层；

在所述基板上方形成金属衬垫结构，其中所述钝化层围绕所述金属衬垫结构；

在所述钝化层和所述金属衬垫结构上方形成包含聚酰亚胺的聚酰亚胺层；以及

在所述金属衬垫结构和所述聚酰亚胺层上形成金属凸块，

其中所述金属凸块与所述金属衬垫结构电接触，并且

所述聚酰亚胺层通过粘附促进剂粘附至所述钝化层和所述金属衬垫结构，其中所述粘附促进剂化学键合至所述聚酰亚胺、所述钝化层和所述金属衬垫结构。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述形成所述聚酰亚胺层包括：

组合聚酰胺酸、粘附促进剂和第一溶剂以形成聚酰胺酸组合物；

将所述聚酰胺酸组合物施加到所述钝化层和金属衬垫结构；以及

将所述聚酰胺酸组合物加热至在150℃至350℃范围内的温度，以将所述聚酰胺酸转化为所述聚酰亚胺。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述聚酰胺酸是二酐和二胺的反应产物，其中所述二酐和所述二胺中的至少一者包括选自由以下项组成的组的一者：环烷烃、稠环、双环烷烃、三环烷烃、双环烯烃、三环烯烃、螺烷烃和杂环。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述粘附促进剂包含螯合基团、硅烷醇基团和交联剂基团。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述螯合基团包含N、O、S或卤素中的至少一者。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述螯合基团包括硫醇、环硫乙烷、硫杂丙烯环、硫杂环丁烷、硫杂环戊烷、噻吩、硫杂环己烷、噻喃、硫杂环庚烷、硫环庚三烯、2,3-二氢噻吩、2,5-二氢噻吩、羟基、羧基、环氧乙烷、环氧乙烯、氧杂环丁烷、氧代戊烷、呋喃、环氧乙烷、吡喃、环氧己烷、氧杂环庚三烯、2,5-二氢呋喃、2,3-二氢呋喃、胺、氮丙啶、氮杂环丁烷、氮杂环丁二烯、吡咯烷、吡咯、哌啶、吡啶、氮杂环庚烷、氮杂环庚三烯、1-吡咯啉、2-吡咯啉、3-吡咯啉、二氢吡啶、氰基、氟基、氯基、溴基或碘基中的至少一者。

10.一种凸块结构，所述凸块结构包括：

钝化层，所述钝化层围绕金属衬垫；

聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层包含设置在所述钝化层和所述金属衬垫上方的聚酰亚胺；和

金属凸块，所述金属凸块设置在所述金属衬垫和所述聚酰亚胺层上方，

其中所述金属凸块与所述金属衬垫电接触，并且

所述聚酰亚胺是二酐和二胺的反应产物，其中所述二酐和所述二胺中的至少一者包括选自由以下项组成的组的一者：环烷烃、稠环、双环烷烃、三环烷烃、双环烯烃、三环烯烃、螺烷烃和杂环。