[发明专利]一种选择性发射极电池的碱抛光制造方法

权利要求书

1.一种选择性发射极电池的碱抛光制造方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：

a：对硅片进行制绒及扩散；

b：硅片的正面在外置含扩散掺杂源的SiO2膜薄保护下形成重掺杂区域；

c：利用酸性溶液去除硅片背面的硅磷玻璃并利用碱溶液抛光；

d：利用酸性溶液去除硅片正面的硅磷玻璃；

e：依次在硅片的背面沉积氧化铝膜、在硅片的正面沉积氮化硅减反射膜及在硅片的背面沉积氮化硅保护膜；

f：利用激光去除硅片背面指定区域的叠层膜；

g：印刷硅片两面的电极并烧结。

2.根据权利要求1所述的一种选择性发射极电池的碱抛光制造方法，其特征在于，所述步骤b具体包括：外置含扩散掺杂源的SiO2膜薄处于硅片正面与激光之间，在紧贴硅片正面的SiO2膜薄保护下，激光先通过外置层薄膜逐步将硅片正面硅磷玻璃中的磷原子扩散到硅片中，同时保证硅片原有的氧化层不被破坏。

3.根据权利要求2所述的一种选择性发射极电池的碱抛光制造方法，其特征在于，SiO2膜薄厚度位30-50纳米，激光功率40-60W，激光的波长为515纳米。

4.根据权利要求1所述的一种选择性发射极电池的碱抛光制造方法，其特征在于，所述碱性溶液为TMAH溶液，所述 TMAH溶液的浓度为1％-60％，温度为40℃-95℃。

5.根据权利要求1所述的一种选择性发射极电池的碱抛光制造方法，其特征在于，所述酸性溶液为HF溶液，所述HF 溶液的浓度为2％-20％。