[发明专利]低平坦度晶圆激光加工吸附装置及其方法在审
申请号: | 202011194796.0 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112439998A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 杨军伟;宋华平;陈蛟;黄敏 | 申请(专利权)人: | 松山湖材料实验室 |
主分类号: | B23K26/352 | 分类号: | B23K26/352;H01L21/268 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 陈培琼 |
地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平坦 度晶圆 激光 加工 吸附 装置 及其 方法 | ||
1.一种低平坦度晶圆激光加工吸附方法,其特征在于,其包括如下步骤:
(1)将低平坦度的晶圆放置在设有加热装置的吸盘上;
(2)打开真空发生器,通过吸盘对晶圆进行吸附,同时加热装置进行发热,将吸盘上所吸附的晶圆加热至目标温度,使得晶圆在受到局部加工时内应力不会被急剧释放;
(3)通过激光对吸盘上所吸附的低平坦度晶圆进行加工;
(4)激光加工完毕,通过气体吹扫将低平坦度晶圆降温至室温;
(5)关闭真空发生器,吸盘松开低平坦度晶圆。
2.根据权利要求1所述的低平坦度晶圆激光加工吸附方法,其特征在于,所述步骤(4)中的吸盘通过冷却器加速冷却。
3.根据权利要求1所述的低平坦度晶圆激光加工吸附方法,其特征在于,所述吸盘由耐高温材料制成。
4.根据权利要求1所述的低平坦度晶圆激光加工吸附方法,其特征在于,所述气体为惰性气体。
5.根据权利要求1所述的低平坦度晶圆激光加工吸附方法,其特征在于,所述加热装置为电阻丝、感应加热线圈或红外加热装置。
6.根据权利要求1所述的低平坦度晶圆激光加工吸附方法,其特征在于,所述目标温度高于300℃,但低于所吸附的晶圆的材料性能退化温度。
7.一种低平坦度晶圆激光加工吸附装置,其特征在于,其包括
吸盘,该吸盘设有加热装置,用于对晶圆进行吸附和加热;
气体吹扫装置,用于对激光加工后的晶圆进行气体吹扫降温;
真空发生器,用于连接吸盘,使吸盘产生负压吸附晶圆;
电源,用于为加热装置提供电能。
8.根据权利要求7所述的低平坦度晶圆激光加工吸附装置,其特征在于,所述吸盘为石墨吸盘,该石墨吸盘内嵌有加热装置。
9.根据权利要求7所述的低平坦度晶圆激光加工吸附装置,其特征在于,所述吸盘的底面设有冷却器。
10.根据权利要求7所述的低平坦度晶圆激光加工吸附装置,其特征在于,所述气体吹扫装置的出风嘴位于吸盘的一侧位置,且朝向该吸盘所吸附的晶圆。
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