[发明专利]低平坦度晶圆激光加工吸附装置及其方法在审

专利信息
申请号: 202011194796.0 申请日: 2020-10-30
公开(公告)号: CN112439998A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 杨军伟;宋华平;陈蛟;黄敏 申请(专利权)人: 松山湖材料实验室
主分类号: B23K26/352 分类号: B23K26/352;H01L21/268
代理公司: 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 代理人: 陈培琼
地址: 523000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 平坦 度晶圆 激光 加工 吸附 装置 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种低平坦度晶圆激光加工吸附方法,其特征在于,其包括如下步骤:

(1)将低平坦度的晶圆放置在设有加热装置的吸盘上;

(2)打开真空发生器,通过吸盘对晶圆进行吸附,同时加热装置进行发热,将吸盘上所吸附的晶圆加热至目标温度,使得晶圆在受到局部加工时内应力不会被急剧释放;

(3)通过激光对吸盘上所吸附的低平坦度晶圆进行加工;

(4)激光加工完毕,通过气体吹扫将低平坦度晶圆降温至室温;

(5)关闭真空发生器,吸盘松开低平坦度晶圆。

2.根据权利要求1所述的低平坦度晶圆激光加工吸附方法,其特征在于,所述步骤(4)中的吸盘通过冷却器加速冷却。

3.根据权利要求1所述的低平坦度晶圆激光加工吸附方法,其特征在于,所述吸盘由耐高温材料制成。

4.根据权利要求1所述的低平坦度晶圆激光加工吸附方法,其特征在于,所述气体为惰性气体。

5.根据权利要求1所述的低平坦度晶圆激光加工吸附方法,其特征在于,所述加热装置为电阻丝、感应加热线圈或红外加热装置。

6.根据权利要求1所述的低平坦度晶圆激光加工吸附方法,其特征在于,所述目标温度高于300℃,但低于所吸附的晶圆的材料性能退化温度。

7.一种低平坦度晶圆激光加工吸附装置,其特征在于,其包括

吸盘,该吸盘设有加热装置,用于对晶圆进行吸附和加热;

气体吹扫装置,用于对激光加工后的晶圆进行气体吹扫降温;

真空发生器,用于连接吸盘,使吸盘产生负压吸附晶圆;

电源,用于为加热装置提供电能。

8.根据权利要求7所述的低平坦度晶圆激光加工吸附装置,其特征在于,所述吸盘为石墨吸盘,该石墨吸盘内嵌有加热装置。

9.根据权利要求7所述的低平坦度晶圆激光加工吸附装置,其特征在于,所述吸盘的底面设有冷却器。

10.根据权利要求7所述的低平坦度晶圆激光加工吸附装置,其特征在于,所述气体吹扫装置的出风嘴位于吸盘的一侧位置,且朝向该吸盘所吸附的晶圆。

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