[发明专利]版图结构、半导体器件及其形成方法有效
申请号: | 202011195556.2 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112309986B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 蔡佩庭;王嘉鴻;林刚毅 | 申请(专利权)人: | 福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/8242 | 分类号: | H01L21/8242;H01L27/108 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 郑星 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 版图 结构 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种版图结构,其特征在于,包括:
特征图案,所述特征图案包括由多个规则图形构成的图案阵列,所述规则图形具有相交于中心的长轴和短轴,其中沿着长轴方向为第一方向,沿着短轴方向为第二方向;
掩模图案,用于掩模遮盖所述特征图案,以遮盖所述图案阵列中位于边缘的无效规则图形,并暴露出所述图案阵列中被所述掩模图案围绕在内的有效规则图形,其中每一有效规则图形被遮盖的面积均小于50%,每一无效规则图形被遮盖的面积均大于50%;以及,所述掩模图案靠近所述有效规则图形的边界包括沿着所述第一方向延伸的第一边界和沿着所述第二方向延伸的第二边界,并且至少所述第一边界顺应规则图形的排布而构成第一锯齿状边界;
其中,所述第一锯齿状边界包括顺应规则图形的边界的台阶状斜边,所述第一锯齿状边界的台阶状斜边中沿着第一方向的台阶面宽度大于等于沿着第二方向的台阶面宽度。
2.如权利要求1所述的版图结构,其特征在于,所述第一锯齿状边界中,由两两相邻的台阶状斜边围绕出锯齿图形,所述锯齿图形呈中心线对称。
3.如权利要求2所述的版图结构,其特征在于,所述掩模图案的每一锯齿图形中位于中心的掩模凸块均至少遮盖至最靠近有效规则图形的无效规则图形,并使所述掩模凸块至少抵达至紧邻且在第一方向对角排布的两个有效规则图形之间。
4.如权利要求3所述的版图结构,其特征在于,所述锯齿图形的掩模凸块超出所述对角排布的两个有效规则图形的中心点之间的连接线。
5.如权利要求3所述的版图结构,其特征在于,所述锯齿图形的掩模凸块超出所述对角排布的两个有效规则图形的中心点之间的连接线,并进一步延伸至与所述对角排布的两个有效规则图形紧邻且对角排布的第三个有效规则图形中。
6.如权利要求1所述的版图结构,其特征在于,所述第一边界的台阶状斜边的延伸长度大于等于两个规则图形的边界长度之和,以使所述第一边界的台阶状斜边沿着规则图形的边界对应穿过至少两个规则图形。
7.如权利要求1所述的版图结构,其特征在于,所述掩模图案的第二边界也顺应规则图形的排布而构成第二锯齿状边界,以及所述第二锯齿状边界包括顺应规则图形的边界的台阶状斜边,所述第二锯齿状边界的台阶状斜边中沿着第一方向的台阶面宽度大于等于沿着第二方向的台阶面宽度。
8.如权利要求7所述的版图结构,其特征在于,所述第二边界的台阶状斜边的延伸长度大于等于一个规则图形的边界长度,以使所述第二边界的台阶状斜边沿着规则图形的边界对应穿过至少一个规则图形。
9.如权利要求1所述的版图结构,其特征在于,所述第二边界为沿着第二方向直线延伸的直边状边界。
10.如权利要求1所述的版图结构,其特征在于,在所述第一边界其最边缘的台阶状斜边和所述第二边界相互连接的各个拐角位置,所述第一边界其最边缘的台阶状斜边和所述第二边界的延伸方向之间的夹角均为钝角。
11.如权利要求10所述的版图结构,其特征在于,所述第一边界其最边缘的台阶状斜边的延伸长度大于等于两个规则图形的边界长度之和,以使得在所述拐角位置至少对应有两个有效规则图形,以及同一拐角位置上的至少两个有效规则图形组合构成第一图形组,四个拐角位置所对应的四个第一图形组呈中心对称。
12.如权利要求1所述的版图结构,其特征在于,所述第一边界的所述台阶状斜边中具有至少两阶台阶面,并且所述至少两阶台阶面的宽度尺寸不一致。
13.如权利要求1所述的版图结构,其特征在于,所述规则图形的形状为正方形、菱形或椭圆形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建省晋华集成电路有限公司,未经福建省晋华集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011195556.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机发光显示装置
- 下一篇:装配式弦支混凝土转换层结构及其施工方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造