[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 202011195950.6 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN114460782B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 王继国;孙建;刘建涛;杨小艳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
第一衬底;
设置在所述第一衬底上、且沿第一方向延伸的多条栅线和沿第二方向延伸的多条数据线;所述第一方向和所述第二方向相交,所述多条栅线和所述多条数据线限定出多个子像素区域;
设置在所述第一衬底上的多个薄膜晶体管;一个薄膜晶体管位于一个子像素区域内;以及,
设置在所述多个薄膜晶体管远离所述第一衬底的一侧的多个反射电极;一个反射电极位于一个所述子像素区域内,所述反射电极与位于同一所述子像素区域内的所述薄膜晶体管电连接;
其中,所述反射电极的边界包括:沿所述第一方向延伸的多条第一子边界,沿所述第二方向延伸的多条第二子边界,以及连接相邻第一子边界和第二子边界的多条倒角边界;相邻第一子边界和第二子边界的延长线的交点位于所述反射电极的边界之外。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,同一所述反射电极的所述多条倒角边界的形状相同或大致相同;和/或,
同一所述反射电极的所述多条倒角边界的长度相等或大致相等。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,不同所述反射电极的所述多条倒角边界的形状相同或大致相同;和/或,
不同所述反射电极的所述多条倒角边界的长度相等或大致相等。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
所述多条倒角边界的形状包括直线状;呈直线状的倒角边界与相连接的第一子边界之间的夹角为钝角,呈直线状的倒角边界与相连接的第二子边界之间的夹角为钝角;或者,
所述多条倒角边界的形状包括曲线状,呈曲线状的倒角边界的曲率中心位于所述反射电极的边界内;或者,
所述多条倒角边界的形状包括折线状,呈折线状的倒角边界包括至少两条顺次连接的线段,相邻两条线段之间的夹角为钝角。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,至少两条倒角边界的两端点连接方向与所述第一方向之间的夹角相等或大致相等;和/或,
至少两条倒角边界的两端点连接方向与所述第二方向之间的夹角相等或大致相等。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一方向和所述第二方向相互垂直或大致垂直;
至少两条倒角边界的两端点连接方向与所述第一方向之间的夹角为45°,至少两条倒角边界的两端点连接方向与所述第二方向之间的夹角为45°。
7.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述多条第一子边界包括相对设置的两条第一子边界;
所述多条第二子边界包括相对设置的两条第二子边界;
所述多条倒角边界包括四条倒角边界,相邻第一子边界和第二子边界之间连接有一条倒角边界。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
与所述多条栅线材料相同且同层设置的多个第一电极,一个第一电极位于一个所述子像素区域内;以及,
与所述多条数据线材料相同且同层设置的多个第二电极,一个第二电极位于一个所述子像素区域内;
其中,位于同一所述子像素区域的第一电极和第二电极构成存储电容器。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,
在所述反射电极与位于同一子像素区域的薄膜晶体管的源极电连接的情况下,所述第二电极与位于同一子像素区域的薄膜晶体管的源极电连接且为一体结构;
在所述反射电极与位于同一子像素区域的薄膜晶体管的漏极电连接的情况下,所述第二电极与位于同一子像素区域的薄膜晶体管的漏极电连接且为一体结构。
10.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,同一所述子像素区域中,所述第二电极在所述第一衬底上的正投影位于所述第一电极在所述第一衬底上的正投影范围内。
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