[发明专利]硅含量呈梭形梯度分布的负极材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 202011196335.7 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112290000B | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | 杨辉;张文;桂思炜;艾鑫;孙永明 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525;C01B32/20 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 石梦雅;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含量 呈梭形 梯度 分布 负极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种硅含量呈梭形梯度分布的负极材料,其特征在于,该负极材料具有预设数量的硅/石墨涂层,并且所述预设数量的硅/石墨涂层中硅含量从上至下先增大后减少,呈梭形梯度分布,所述硅/石墨涂层的层数为5~7层,相邻两层所述硅/石墨涂层中硅含量的差值为5%~15%,所述硅/石墨涂层中最低硅含量为5%,其最高硅含量为40%。
2.如权利要求1所述的硅含量呈梭形梯度分布的负极材料,其特征在于,每层所述硅/石墨涂层的厚度为20μm~30μm。
3.一种如权利要求1或2所述的硅含量呈梭形梯度分布的负极材料的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:
S1制备硅含量不同的硅/石墨浆料;
S2将硅含量最低的硅/石墨浆料涂覆在基底材料上,然后烘干获得具有第一硅/石墨涂层的第一电极;
S3将硅含量第二低的硅/石墨浆料涂覆在所述第一电极上,然后烘干获得具有第二硅/石墨涂层的第二电极,并且所述第一硅/石墨涂层与第二硅/石墨涂层的厚度相同;
S4按照硅含量由低到高的顺序将剩余的硅/石墨浆料进行涂覆,直至完成硅含量最高的硅/石墨浆料的涂覆工作;然后再按照硅含量由高到低 的顺序将硅/石墨浆料进行涂覆,以获得预设数量的硅/石墨涂层,最终制得所述硅含量呈梭形梯度分布的负极材料。
4.如权利要求3所述的硅含量呈梭形梯度分布的负极材料的制备方法,其特征在于,步骤S1中制备硅含量不同的硅/石墨浆料包括如下子步骤:
S11将硅纳米颗粒、石墨以及导电炭黑研磨混合均匀获得固体颗粒;
S12向步骤S11获得的固体颗粒中添加羧甲基纤维素钠和丁苯橡胶溶液,以制得硅/石墨浆料。
5.如权利要求3或4所述的硅含量呈梭形梯度分布的负极材料的制备方法,其特征在于,步骤S2中,烘干温度为60℃~70℃。
6.如权利要求1或2所述的硅含量呈梭形梯度分布的负极材料在锂离子电池中的应用。
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