[发明专利]一种富硒葛根种植方法

权利要求书

1.一种富硒葛根种植方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在大棚内用火砖搭建成育苗圃，将细碎的育苗基质以深度30-40cm铺平，浇水使基质湿润；

(2)挑选丰产葛根的中部茎节，用刀剪切成6-10cm的藤条小段作为种茎，将其与地面成30-40°角斜插入苗床中，入土4-5cm，同时盖上稀土使刚好过芽点，完成后浇透水，并搭上小拱棚，至芽条长到3-6cm时再进行移栽；

(3)移栽时，按行距1.2-1.5米，株距0.8-1米，将种苗扦插在倒扣且装满育苗基质的黑色薄膜袋顶上，每袋扦插2个种苗，每亩种植1200-1500株，完成后盖上地膜，浇水定根；

(4)至葛苗长至10-15cm，在主蔓旁竖立一根竹竿以引蔓向其攀附，同时除去较弱的蔓，至主蔓长到1-1.5米时将侧蔓侧芽摘除，主蔓超过2米后摘除顶芽，至地下块根长至2-3cm时进行修根；

(5)在葛苗移栽后每隔20-25天进行一次追肥，追肥采用富硒酵母发酵形成的腐熟有机肥和尿素、硫酸锌、磷酸钾按质量比19：3：1：2混合得到，亩施10-30kg，配合追肥灌溉保持土壤湿润，同时于收获前一个月停止追肥；

(6)至葛叶转为青黄色且质脆硬时，选择晴天对其进行采收即可。

2.根据权利要求1所述的富硒葛根种植方法，其特征在于，所述步骤1中育苗基质由土壤、草木灰、亚硒酸钠按质量比40：10：0.02混合拌匀得到。

3.根据权利要求1所述的富硒葛根种植方法，其特征在于，所述步骤2中切出的种茎每节只留一个芽眼，且控制芽上方占1/3长度的茎，芽下方占2/3长度的茎。

4.根据权利要求1所述的富硒葛根种植方法，其特征在于，所述步骤2中种茎插入苗床前，先用富硒液喷涂于下部切口处，以促进生根。

5.根据权利要求4所述的富硒葛根种植方法，其特征在于，所述富硒液由亚硒酸钠、高锰酸钾、清水按质量比(3-4)：20：10000混合得到。

6.根据权利要求1所述的富硒葛根种植方法，其特征在于，所述步骤2中控制小拱棚内温度为28-32℃，湿度为65-75％之间。

7.根据权利要求1所述的富硒葛根种植方法，其特征在于，所述步骤4中修根时扒开倒扣的黑色薄膜袋，将具备良好形态的2-3条葛根留下，其他的用小刀割除块根上的须根和增长的块根。

8.一种富硒葛根，其特征在于，由权利要求1-7任一项所述的富硒葛根种植方法种植得到。