[发明专利]一种双电容太赫兹超材料电调控器件结构

权利要求书

1.一种双电容太赫兹超材料电调控器件结构，其特征在于：包括衬底层(1)和填充刻蚀于衬底层(1)上的金属谐振环(7)与铟镓锌氧化物层(8)组成的微结构谐振器阵列层(5)，金属谐振环(7)内设置有第一微带金线(6-1)；还包括通过第二微带金线(6-2)与第一微带金线(6-1)连接的肖特电极(3)；还包括与铟镓锌氧化物层(8)相接触的IGZO条(4)和与IGZO条(4)相连接的欧姆电极(2)，肖特电极(3)与欧姆电极(2)分别位于衬底层(1)上表面的两侧。

2.根据权利要求1所述的一种双电容太赫兹超材料电调控器件结构,其特征在于，所述微结构谐振器阵列层(5)为双电容开口环谐振器阵列，包括若干个开口环谐振器单元，每个开口环谐振器单元均包括金属谐振环(7)与铟镓锌氧化物层(8)，金属谐振环(7)为双电容开口环谐振器，由两个单电容开口环谐振器背向组合而成，且两个单电容开口环谐振器关于金属谐振环(7)的中心线对称，在中心处刻蚀有微带金线(6-1)，且每个单电容开口环谐振器的开口处均包裹在铟镓锌氧化物层(8)内。

3.根据权利要求1所述的一种双电容太赫兹超材料电调控器件结构,其特征在于，每个所述金属谐振环(7)的厚度为0.3μm，宽度为6μm。

4.根据权利要求1所述的一种双电容太赫兹超材料电调控器件结构,其特征在于，所述金属谐振环(7)环形部分的边长为66μm，第一微带金线(6-1)长度为86μm，第一微带金线(6-1)的两端伸出金属谐振环(7)外。

5.根据权利要求1-4任一所述的一种双电容太赫兹超材料电调控器件结构,其特征在于，所述衬底层(1)上中心对称处设有两个凹槽。

6.根据权利要求5所述的一种双电容太赫兹超材料电调控器件结构,其特征在于，在所述凹槽内填充铟镓锌氧化物，在填充之后的平面上刻蚀金属谐振环(7)，再在其电容上覆盖铟镓锌氧化物，两层铟镓锌氧化物包裹形成铟镓锌氧化物层(8)。