[发明专利]毫米波衰减器电路在审
申请号: | 202011197070.2 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112332804A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 李苗 | 申请(专利权)人: | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
主分类号: | H03H11/04 | 分类号: | H03H11/04 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 王海栋 |
地址: | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 毫米波 衰减器 电路 | ||
1.一种毫米波衰减器电路,其特征在于,包括:
输入端口(P1)、第一输出端口(P2)、第二输出端口(P3)、第三输出端口(P4)以及第四输出端口(P5);
耦合电感电路,所述耦合电感电路包括与所述输入端口(P1)以及各个输出端口分别连接的电感线圈,所述耦合电感电路用于隔离所述第一输出端口(P2)、所述第二输出端口(P3)、所述第三输出端口(P4)以及所述第四输出端口(P5);
第一衰减器,所述第一衰减器与所述第一输出端口(P2)连接;
第二衰减器,所述第二衰减器与所述第二输出端口(P3)连接;
第三衰减器,所述第三衰减器与所述第三输出端口(P4)连接;
晶体管控制电路,所述晶体管控制电路包括分别与所述第一输出端口(P2)、所述第二输出端口(P3)、所述第三输出端口(P4)、所述第四输出端口(P5)连接的第n控制电路,其中n依次对应为一至四;所述晶体管控制电路基于各个控制电路的电平信号,选择一个输出端口实现与所述输入端口导通,实现选择不同衰减器,以及利用与各个输出端口连接的所述电感线圈、除该输出端口之外的其余输出端口所连接的控制电路,配置该输出端口的负载,以实现该输出端口的负载匹配。
2.根据权利要求1所述的毫米波衰减器电路,其特征在于,所述耦合电感电路的所述电感线圈,包括:
第一电感线圈(L1)、第二电感线圈(L2)以及第三电感线圈(L3),所述第一电感线圈(L1)与所述输入端口(P1)连接,所述第二电感线圈(L2)连接在所述第一输出端口(P2)与所述第二输出端口(P3)之间,所述第三电感线圈(L3)连接在所述第三输出端口(P4)与所述第四输出端口(P5)之间。
3.根据权利要求2所述的毫米波衰减器电路,其特征在于,还包括:
控制端口组,所述控制端口组包括第一控制端口(V1),第二控制端口(V2),第三控制端口(V3)以及第四控制端口(V4),所述第一控制端口(V1)与所述第一控制电路连接,所述第二控制端口(V2)与所述第二控制电路连接,所述第三控制端口(V3)与所述第三控制电路连接,所述第四控制端口(V4)与所述第四控制电路连接,所述控制端口组用于为所述晶体管控制电路提供电平信号。
4.根据权利要求3所述的毫米波衰减器电路,其特征在于,所述第n控制电路包括:第n晶体管(Mn)、第n栅极偏置电阻(Rn)以及所述第n晶体管(Mn)的源极间的第n外接电阻(Rsubn),所述第n栅极偏置电阻(Rn)连接在所述第n晶体管(Mn)的栅极与所述第n控制端口(Vn)之间,所述第n晶体管(Mn)的漏极与所述第n输出端口并联,所述第n晶体管(Mn)的源极接地,所述第n外接电阻(Rsub n)的一端与所述第n晶体管(Mn)的衬底连接,所述第n外接电阻(Rsub n)的另一端接地。
5.根据权利要求4所述的毫米波衰减器电路,其特征在于,所述第一控制端口(V1)提供第一电平信号,所述第二控制端口(V2)、所述第三控制端口(V3)以及所述第四控制端口(V4)提供第二电平信号,所述第一晶体管(M1)开关断开,所述第二晶体管(M2)、所述第三晶体管(M3)以及所述第四晶体管(M4)开关导通,所述输入端口(P1)与所述第一输出端口(P2)导通。
6.根据权利要求4所述的毫米波衰减器电路,其特征在于,所述第二控制端口(V2)提供第一电平信号,所述第一控制端口(V1)、所述第三控制端口(V3)以及所述第四控制端口(V4)提供第二电平信号,所述第二晶体管(M2)开关断开,所述第一晶体管(M1)、所述第三晶体管(M3)以及所述第四晶体管(M4)开关导通,所述输入端口(P1)与所述第二输出端口(P3)导通。
7.根据权利要求4所述的毫米波衰减器电路,其特征在于,所述第三控制端口(V3)提供第一电平信号,所述第一控制端口(V1)、所述第二控制端口(V2)以及所述第四控制端口(V4)提供第二电平信号,所述第三晶体管(M3)开关断开,所述第一晶体管(M1)、所述第二晶体管(M2)以及所述第四晶体管(M4)开关导通,所述输入端口(P1)与所述第三输出端口(P4)导通。
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