[发明专利]射频前端电路在审
申请号: | 202011197075.5 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112491441A | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | 李苗 | 申请(专利权)人: | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
主分类号: | H04B1/44 | 分类号: | H04B1/44 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 王海栋 |
地址: | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 前端 电路 | ||
1.一种射频前端电路,其特征在于,包括:
天线、发送单元、接收单元以及开关单元;
其中,所述发送单元用于发射射频输出信号,所述发送单元包括多个依次串接的功率放大器;
所述接收单元用于接收射频输入信号,所述接收单元包括多个依次串接的低噪声放大器;
所述开关单元连接在所述发送单元、所述接收单元与所述天线之间,用于导通所述发送单元与所述天线实现电性连接,或者,导通所述接收单元与所述天线实现电性连接,所述开关单元包括多耦合线圈电路以及晶体管控制电路;利用所述多耦合线圈电路实现端口隔离,利用负载切换技术调整负载。
2.根据权利要求1所述的射频前端电路,其特征在于,
所述开关单元还包括:输入端口(P1)、第一输出端口(P2)、第二输出端口(P3);
所述多耦合线圈电路包括:与所述输入端口(P1)、所述第一输出端口(P2)、所述第二输出端口(P3)分别连接的线圈;
所述晶体管控制电路包括:第一控制电路、第二控制电路和第三控制电路,用于利用所述第一控制电路的控制电平来控制所述多耦合线圈电路的输入负载,以及利用所述第二控制电路和第三控制电路的控制电平实现所述输入端口(P1)与所述第一输出端口(P2),或者与所述第二输出端口(P3)之间的连接。
3.根据权利要求2所述的射频前端电路,其特征在于,所述多耦合线圈电路包括:第一线圈(L1)、第二线圈(L2)和第三线圈(L3),所述第一线圈(L1)设置在所述第二线圈(L2)和所述第三线圈(L3)之间,所述第一线圈(L1)的一端与所述输入端口(P1)连接,所述第二线圈(L2)与所述第一输出端口(P2)连接,所述第三线圈(L3)与第二输出端口(P3)连接。
4.根据权利要求3所述的射频前端电路,其特征在于,所述第一控制电路与所述第一线圈(L1)的另一端连接,所述第二控制电路连接在所述第二线圈(L2)和所述第三控制电路的一端之间,所述第三控制电路的另一端与所述第三线圈(L3)连接。
5.根据权利要求4所述的射频前端电路,其特征在于,所述开关单元还包括:
控制端口(VC)、反相器(INV);
所述控制端口(VC)与所述第三控制电路连接;用于为所述第三控制电路提供控制电平;
所述反相器连接在所述控制端口(VC)与所述第二控制电路之间,以及所述控制端口(VC)与所述第一控制电路之间,用于将所述控制端口(VC)的电平相位翻转180度之后为所述第二控制电路、所述第一控制电路提供控制电平。
6.根据权利要求5所述的射频前端电路,其特征在于,所述第一控制电路包括第一晶体管(M1)、第一栅极偏置电阻(R1)以及所述第一晶体管(M1)的源极间的第一外接电阻(Rsub1),所述第一栅极偏置电阻(R1)连接在所述第一晶体管(M1)的栅极与所述控制端口(VC)之间,所述第一晶体管(M1)的漏极与所述第一输出端口(P2)并联,所述第一晶体管(M1)的源极接地,所述第一外接电阻(Rsub1)的一端与所述第一晶体管(M1)的衬底连接,所述第一外接电阻(Rsub1)的另一端接地。
7.根据权利要求6所述的射频前端电路,其特征在于,所述第二控制电路包括第二晶体管(M2)、第二栅极偏置电阻(R2)以及所述第二晶体管(M2)的源极间的第二外接电阻(Rsub2),所述第二栅极偏置电阻(R2)连接在所述第二晶体管(M2)的栅极与所述反相器(INV)的输出端之间,所述第二晶体管(M2)的漏极与所述第二输出端口(P3)并联,所述第二晶体管(M2)的源极接地,所述第二外接电阻(Rsub2)的一端与所述第二晶体管(M2)的衬底连接,所述第二外接电阻(Rsub2)的另一端接地。
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