[发明专利]一种GaN器件的制备工艺方法在审
| 申请号： | 202011197638.0 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112435927A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 郑超;陈敏;戴维;孙春明;欧新华;袁琼;符志岗;刘宗金 | 申请（专利权）人： | 上海芯导电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 党蕾 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 器件 制备 工艺 方法 | ||
1.一种GaN器件的制备工艺方法，其特征在于，包括：
步骤S1、提供一衬底晶圆，所述衬底晶圆包括一金属互连结构；
步骤S2、于一预设位置形成至少两个暴露所述金属互连结构的通孔；
步骤S3、于所述衬底晶圆的上表面形成一GaN层；
步骤S4、于所述GaN层的上表面形成一绝缘层，且于所述绝缘层的上表面形成至少两个穿透所述绝缘层和所述GaN层表面的深孔；
步骤S5、于所述深孔内填充一金属导体；
步骤S6、于所述绝缘层上形成分别覆盖所述深孔的一源极和漏极，并于所述源极和所述漏极之间形成一栅极，制备完成。
2.如权利要求1所述的制备工艺方法，其特征在于，于所述衬底晶圆中形成一GaN器件，所述GaN器件连接于所述金属互连结构。
3.如权利要求1所述的制备工艺方法，其特征在于，所述绝缘层上形成一平坦化层，以覆盖所述源极、所述漏极以及所述栅极。
4.如权利要求1所述的制备工艺方法，其特征在于，所述金属互连结构为铜互连结构。
5.如权利要求1所述的制备工艺方法，其特征在于，于所述步骤S5中，通过一镀铜工艺，于所述深孔内填充所述金属导体。
6.如权利要求1所述的制备工艺方法，其特征在于，所述GaN层由多晶硅形成。
7.如权利要求3所述的制备工艺方法，其特征在于，所述平坦化层为绝缘材料形成。
8.如权利要求3所述的制备工艺方法，其特征在于，所述通孔通过一刻蚀工艺形成。
9.如权利要求8所述的制备工艺方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为干法刻蚀。
10.如权利要求5所述的制备工艺方法，其特征在于，所述镀铜工艺为湿法镀铜工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海芯导电子科技股份有限公司，未经上海芯导电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011197638.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种吊牌覆膜冲压机
- 下一篇：一种涉水管材的检测试剂及其制备方法和检测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
