[发明专利]基于偏置电路的低功耗上电复位电路和方法

权利要求书

1.一种基于偏置电路的低功耗上电复位电路，其特征在于，包括：低功耗偏置电路和上电复位电路；

所述低功耗偏置电路包括第一偏置电流输出端、第二偏置电流输出端和高电位输出端；

所述上电复位电路包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第七NMOS管、施密特触发器和上升沿延迟器；

其中，所述第三PMOS管的源极连接电源端，栅极连接所述第四NMOS管的栅极，漏极连接所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极；所述第四PMOS管的源极连接电源端，栅极连接所述第一偏置电流输出端，漏极连接所述第四NMOS管的漏极和施密特触发器的输入端；所述第三NMOS管的源极连接接地端，栅极连接所述第二偏置电流输出端；所述第四NMOS管的源极连接接地端；所述第七NMOS管的栅极连接所述高电位输出端，源极连接接地端，漏极连接所述施密特触发器的输出端和所述上升沿延迟器的输入端，所述上升沿延迟器的输出端输出延迟信号。

2.根据权利要求1所述的基于偏置电路的低功耗上电复位电路，其特征在于，所述低功耗偏置电路包括启动电路和偏置电流产生电路；所述启动电路和所述偏置电流产生电路连接；

所述启动电路包括：第六PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和第一电容；所述第六PMOS管的源极连接电源端和所述第一电容的第一端，栅极连接接地端，漏极连接所述第一电容的第二端、所述第五NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极；所述第五NMOS管的栅极连接所述偏置电流产生电路，源极连接接地端；所述第六NMOS管的漏极连接所述偏置电流产生电路，源极连接接地端。

3.根据权利要求2所述的基于偏置电路的低功耗上电复位电路，其特征在于，所述偏置电流产生电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一电阻；

所述第一PMOS管的源极连接电源端，栅极连接第二PMOS管的栅极、所述第一偏置电流输出端和所述第六NMOS管的漏极，漏极连接所述第一NMOS管的漏极；所述第二PMOS管的源极连接电源端，栅极连接所述第二NMOS管的漏极，漏极连接所述第二NMOS管的漏极；所述第一NMOS管的漏极和栅极相连，栅极连接所述第二NMOS管的栅极、所述第二偏置电流输出端和所述第五NMOS管的栅极；所述第二NMOS管的源极通过所述第一电阻连接接地端。

4.根据权利要求1所述的基于偏置电路的低功耗上电复位电路，其特征在于，所述上电复位电路还包括第二电容和第五电阻；所述第五电阻的第一端连接第三PMOS管的栅极，所述第五电阻的第二端连接所述第四NMOS管的栅极和所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端连接接地端。

5.根据权利要求3所述的基于偏置电路的低功耗上电复位电路，其特征在于，还包括第五PMOS管；所述偏置电流产生电路还包括第三偏置电流输出端；所述第五PMOS管的源极连接电源端，栅极连接第一PMOS管的栅极，漏极连接第三偏置电流输出端，所述第三偏置电流输出端连接所述第一PMOS管的栅极。