[发明专利]显示面板和具有其的显示装置在审
申请号: | 202011197835.2 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112331710A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 石博;黄炜赟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06K9/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 周红 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 具有 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板和具有其的显示装置,所述显示面板具有预设区域,所述预设区域的非显示侧适于设置TOF装置的发射传感器和接收传感器,所述发射传感器发出的光线适于由所述预设区域射出到所述显示面板的显示侧,并由显示侧的被检测物反射回所述显示面板的非显示侧,以被所述接收传感器接收,所述显示面板包括:基底层、OLED器件层和减反增透层,所述OLED器件层设于所述基底层的显示侧,所述减反增透层为至少一层且设于所述基底层和所述OLED器件层之间,所述减反增透层的至少部分与所述预设区域沿所述显示面板的厚度方向相对设置。根据本发明的显示面板,可以提高TOF装置的测距准确性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其是涉及一种显示面板和具有其的显示装置。
背景技术
相关技术中的电子设备,越来越多的具有人脸识别功能,人脸识别功能可以利用TOF(Time of flight的缩写)技术实现,随着全面屏的发展,TOF装置被放置在显示面板下方,即在显示面板上设置高透光区,将TOF装置的发射传感器和接收传感器设置在显示面板下方且与高透光区相对,但由于TOF装置的发射传感器发射出的红外线在显示面板内部的反射效应,造成TOF装置的接收传感器容易受到显示面板内部反射的红外线的干扰,造成被测物体的测距不准。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明在于提出一种显示面板,所述显示面板可以提高TOF装置的测距准确性。
本发明还提出一种具有上述显示面板的显示装置。
根据本发明第一方面实施例的显示面板,所述显示面板具有预设区域,所述预设区域的非显示侧适于设置TOF装置的发射传感器和接收传感器,所述发射传感器发出的光线适于由所述预设区域射出到所述显示面板的显示侧,并由显示侧的被检测物反射回所述显示面板的非显示侧,以被所述接收传感器接收,所述显示面板包括:基底层;OLED器件层,所述OLED器件层设于所述基底层的显示侧;减反增透层,所述减反增透层为至少一层且设于所述基底层和所述OLED器件层之间,所述减反增透层的至少部分与所述预设区域沿所述显示面板的厚度方向相对设置。
根据本发明实施例的显示面板,通过在基底层和OLED器件层之间设置至少一层减反增透层,且减反增透层的至少部分与预设区域相对设置,从而可以降低发射传感器发射出的光线在显示面板内部发生的反射,进而改善这些反射的光线对接收传感器接收的光线造成干扰,即可以有效地减少显示面板内部反射进入接收传感器的干扰光线,从而可以提高TOF装置的测距准确性。
在一些实施例中,其中一层所述减反增透层为预设薄膜层,所述预设薄膜层紧邻所述基底层设置。
在一些实施例中,所述显示面板仅包括所述预设薄膜层这一层所述减反增透层,所述显示面板还包括紧邻设置在所述预设薄膜层的显示侧的缓冲层。
在一些实施例中,所述发射传感器发出的光线的波长为940nm,所述基底层为PI层且折射率为1.945,所述缓冲层的折射率为1.467,所述预设薄膜层的折射率为1.625或1.691,所述预设薄膜层的厚度为235nm。
在一些实施例中,至少一层所述减反增透层沿所述显示面板的厚度方向的投影完全覆盖所述基底层。
在一些实施例中,至少一层所述减反增透层沿所述显示面板的厚度方向的投影恰好覆盖所述预设区域。
在一些实施例中,所述减反增透层的折射率nx满足:n-0.2≤nx≤n+0.2,其中,n=(n1×n2)^(1/2),n1为紧邻在相应的所述减反增透层的非显示侧的膜层的折射率,n2为紧邻在相应的所述减反增透层的显示侧的膜层的折射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的