[发明专利]提高非易失型闪存擦写寿命方法、装置、存储介质和终端

说明书

本发明公开了一种提高非易失型闪存擦写寿命方法、装置、存储介质和终端，在NOR Flash内部建立起一套逻辑地址和物理地址交换的算法，当检测到某个物理地址的擦写/编程过高时，使交换区块与目标区块的物理地址和逻辑地址映射关系互换，以均衡各个区块之间的擦写次数，一定程度上延长了NOR FLASH的寿命；NOR Flash内部建立一套机制可平均化各个区块的擦除/编程次数的流程，无需在NOR FLASH外部额外建立一套复杂的算法流程和额外的存储空间来记录这个地址映射，节省了系统的成本，提高了NOR Flash的擦写次数。

技术领域

本发明涉及半导体存储技术领域，尤其涉及的是一种提高非易失型闪存擦写寿命方法、装置、存储介质和终端。

背景技术

NOR FLASH（非易失闪存）的生命周期内编程/擦写次数的要求一般在10万次，如果用户对特定的块进行擦除，那么这个块的擦写可能远远大于其他块擦写的次数，编程/擦写方式的不均衡性导致NOR FLASH的寿命取决与这个块的最大擦写次数。

要规避这样的问题，现有技术一般通过外部的文件系统来对flash的擦写次数进行记录，当某一区块擦写次数达到预设值时，再进行地址的记录和转换，使各个区块擦写次数更平均。一般这样的系统设计只用于NAND controller（计算机闪存设备控制器）中，但作为XIP（eXecute In Place，即芯片内执行）的NOR FLASH往往没有NOR controller去支持这一套系统，严重缩短了NOR FLASH的使用寿命。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提高非易失型闪存擦写寿命方法、装置、存储介质和终端，旨在解决现有的NOR FLASH无法进行区块地址的记录和转换，严重缩短了NOR FLASH使用寿命的问题。

本发明的技术方案如下：一种提高非易失型闪存擦写寿命方法，其中，具体包括以下步骤：

判断目标区块是否满足预设交换条件，

是，则将交换区块与目标区块的物理地址和逻辑地址映射关系进行互换，

否，则不改变目标区块的物理地址和逻辑地址映射关系。

所述的提高非易失型闪存擦写寿命方法，其中，所述交换区块从NOR FLASH中擦写次数低于预设值的区块中选择。

所述的提高非易失型闪存擦写寿命方法，其中，所述判断目标区块是否满足预设交换条件，具体过程如下：根据目标区块的地址从存储有各个区块擦写次数的存储空间中读出与目标区块地址相对应的擦写次数，判断目标区块的擦写次数是否满足预设交换条件。

所述的提高非易失型闪存擦写寿命方法，其中，所述将交换区块与目标区块的物理地址和逻辑地址映射关系进行互换，具体包括以下步骤：

s61：存储交换区块与目标区块的物理地址和逻辑地址映射关系的互换记录；

s62：将交换区块与目标区块的物理地址进行互换。

所述的提高非易失型闪存擦写寿命方法，其中，所述s61中，在存储物理地址和逻辑地址映射关系交换记录的存储空间中，找到下一条新的记录空间，存储该次交换区块与目标区块的物理地址和逻辑地址映射关系的互换记录。

一种采用如上述任一所述的提高非易失型闪存擦写寿命方法的装置，其中，包括：

判断目标区块是否满足预设交换条件的判断模块；

将交换区块与目标区块的物理地址和逻辑地址映射关系进行互换的地址互换模块。

所述的装置，其中，还包括存储有各个区块地址以及擦写次数的第一存储模块。