[发明专利]一种无基体偏压下获得的刚玉和立方结构三氧化二铝铬混合相涂层及其制备方法有效
| 申请号： | 202011198043.7 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112239855B | 公开（公告）日： | 2023-02-14 |
| 发明（设计）人： | 杜昊;施杰;张泽;戴厚富 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/02 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 胡绪东 |
| 地址： | 550025 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基体 偏压 获得 刚玉 立方 结构 氧化 二铝铬 混合 涂层 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种无基体偏压下获得的刚玉和立方结构三氧化二铝铬混合相涂层，其特征在于：刚玉和立方结构三氧化二铝铬混合相涂层使用双极高能脉冲磁控溅射沉积获得，涂层包括一种α-(Al,Cr)2O3相（104）晶面和一种fcc-(Al,Cr)2O3相（200）晶面；涂层中铝和铬的原子比例关系为：AlxCr1-x，x=80 at.%；涂层厚度为100~2000nm；无基体偏压下获得的刚玉和立方结构三氧化二铝铬混合相涂层的制备方法包括以下步骤：
a、基体前处理和加热；
b、使用等离子清洗基体；
c、对清洗后的基体使用双极高能脉冲磁控溅射沉积刚玉和立方结构三氧化二铝铬混合相涂层；
步骤a中加热温度为500~650℃；
步骤c中用双极高能脉冲磁控溅射沉积刚玉和立方结构三氧化二铝铬混合相涂层的方法为：向沉积室内通入氧气和氩气，调节工作压强为0.1~0.4Pa，其中氧气流量占总气体流量的5~7%，基体偏压为0V，开启AlxCr1-x合金靶，铝和铬的原子比例关系为：x=80 at.%，将高能脉冲磁控溅射电源的正负脉冲频率调节至500~2000Hz，正负脉冲宽度为15~60μs，正负脉冲延迟为1μs，正脉冲电压为+50~+300V，靶峰值电流密度为0.39~0.61A/cm2，沉积时间为10~120min。
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