[发明专利]一种离子布植方法、装置及设备有效
申请号: | 202011198063.4 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112289679B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 杨学人 | 申请(专利权)人: | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/317 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 250101 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 离子 方法 装置 设备 | ||
1.一种离子布植方法,其特征在于,包括:
提供带状离子束流;
样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端时,控制所述带状离子束流对所述样片进行离子布植,其中所述带状离子束流的第一端指向第二端的方向为所述带状离子束流的延伸方向;
其中,样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端包括:
样片相对所述带状离子束流作直线运动,且相对样片中心作旋转运动,其中,所述样片相对所述带状离子束流作直线运动的方向与所述带状离子束流的延伸方向相同。
2.根据权利要求1所述的离子布植方法,其特征在于,样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端包括:
样片从所述带状离子束流的第一端顺时针旋转运动至所述带状离子束流的第二端。
3.根据权利要求1所述的离子布植方法,其特征在于,样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端包括:
样片从所述带状离子束流的第一端逆时针旋转运动至所述带状离子束流的第二端。
4.根据权利要求1所述的离子布植方法,其特征在于,样片相对所述带状离子束流作旋转运动的圆心位于所述带状离子束流所在的直线。
5.根据权利要求1所述的离子布植方法,其特征在于,样片相对所述带状离子束流作直线运动包括:
样片相对所述带状离子束流以恒定线速度作直线运动。
6.根据权利要求1所述的离子布植方法,其特征在于,样片相对样片中心作旋转运动包括:
样片相对样片中心以恒定角速度作旋转运动。
7.一种离子布植装置,其特征在于,包括:
带状离子束产生单元,用于产生带状离子束流;
控制单元,用于样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端时,控制所述带状离子束产生单元产生带状离子束流对所述样片进行离子布植,其中所述带状离子束流的第一端指向第二端的方向为所述带状离子束流的延伸方向;
其中,样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端包括:
样片相对所述带状离子束流作直线运动,且相对样片中心作旋转运动,其中,所述样片相对所述带状离子束流作直线运动的方向与所述带状离子束流的延伸方向相同。
8.根据权利要求7所述的离子布植装置,其特征在于,还包括运动单元,用于带动样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端。
9.一种离子布植设备,其特征在于,包括:
带状离子束产生源,用于产生带状离子束流;
控制器,所述控制器的输出端与所述带状离子束产生源的控制端电连接,所述控制器用于样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端时,控制所述带状离子束产生源产生对所述样片进行离子布植的带状离子束流,其中所述带状离子束流的第一端指向第二端的方向为所述带状离子束流的延伸方向;
其中,样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端包括:
样片相对所述带状离子束流作直线运动,且相对样片中心作旋转运动,其中,所述样片相对所述带状离子束流作直线运动的方向与所述带状离子束流的延伸方向相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造