[发明专利]提高发光区中载流子分布均匀性的LED外延结构及其生长方法

权利要求书

1.一种LED外延结构的发光层，其特征在于，该发光层由势垒层和量子阱层交替形成，其中势垒层采用In组分沿生长方向逐渐提高的In_xGa_1-xN势垒层。

2.如权利要求1所述的发光层，其特征在于，势垒层采用In组分沿生长方向逐渐提高的In_xGa_1-xN势垒层，层数为七层， 其中的In组分即x依次为：0，0至0.02渐变，0.02至0.04渐变，0.04至0.06渐变，0.06至0.08渐变，0.08至0.1渐变，0.1。

3.如权利要求1所述的发光层，其特征在于，每一层势垒层的厚度为8nm至15nm。

4.如权利要求1所述的发光层，其特征在于，量子阱层采用In_yGa_1-yN量子阱层，y为0.1~0.3，每一层量子阱层的厚度为2nm，量子阱层的层数为6层。

5.一种LED外延结构，其特征在于，外延结构从下至上的顺序，依次包括低温成核层GaN、非掺杂u-GaN层、掺杂Si的n-GaN层、如权利要求1-4所述的发光层、AlGaN电子阻挡层和p-GaN层。

6.一种如权利要求1-4任一项所述的发光层的生长方法，其特征在于，具体步骤如下：

（1）在反应腔压力为100 Torr~500 Torr，温度为700 ℃~800 ℃，使用TEGa，TMIn和SiH₄作为MO源，生长In组分渐变的In_xGa_1-xN势垒层；

（2）在反应腔压力为100 Torr~500 Torr，温度为700 ℃~800 ℃，使用TEGa，TMIn和SiH₄作为MO源，生长掺杂In的In_yGa_1-yN量子阱层，y为0.1~0.3；

（3）步骤（1）和步骤（2）交替进行，交替生长In_xGa_1-xN/In_yGa_1-yN发光层。